【修订记录】
1、2021-08-06，增加“+调小参”字段
概述
在Core 2 Duo和DDR2内存的时代，笔者拥有了第一台自己的台式机。那是一台海尔的品牌机，主板是ECS定制的945GCT-M，CPU是单核赛扬420，虽然是Core架构，无奈主频低、缓存少，打打高频低能的Pentium 4还是妥妥的。后来强刷了零售版的主板BIOS，算是破解了隐藏的内存超频选项，从此我对PCDIY的热情进入了一个新时期。
但笔者是一个普通的DIY玩家，买的大多数内存只是普条。好在从DDR2以来每一代都有体验和记录，趁现在还有些许印象，笔者愿意把这些默认参数还有超频后的参数分享出来。
DDR2参数
| 频率 | 早期参数 | 晚期参数 |
|---|---|---|
| DDR2-667 | CL5@1.8V 【5-5-5-15】【创见DDR2-667-1GB】 | - |
| DDR2-800 | CL6@1.8V 【6-6-6-18】 【奇梦达DDR2-800-2G】 | CL5@1.8V 【5-5-5-18】【金泰克DDR2-800-2G】 |
大多数DDR2-667内存可以通过刷新SPD/BIOS手动超频 成为DDR2-800内存。超频后可增加内存电压到1.90V，以确保更好的稳定性。
DDR3参数
| 频率 | 早期参数 | 晚期参数 |
|---|---|---|
| DDR3-1066 | CL7@1.5V 【7-7-7-20】 【联想Y450】 | |
| DDR3-1333 | CL9@1.5V 【9-9-9-24】 【圣创雷克DDR3-1333-1GB】 | |
| DDR3-1600 | CL11@1.5V 【11-11-11-28】 【芝奇DDR3-1600-4G】 | CL10@1.5V 【10-10-10-27】 【金士顿DDR3-1600-4G-XMP】 |
| DDR3-1866 | CL13@1.65V 【13-13-13-31】【芝奇DDR3-1600-4G OC】 | |
| DDR3-2133 | CL15@1.65V 【15-15-15-36】 【芝奇DDR3-1600-4G OC】 | CL14@1.65V 【14-14-14-35】【芝奇DDR3-1600-4G OC】 |
这条芝奇DDR3普调伴随笔者度过了DDR3超频时代。现在，它已经挂在了闲鱼。
DDR4参数
| 频率 | 早期参数 | 晚期参数 |
|---|---|---|
| DDR4-2133 | CL15@1.2V 【15-15-15-36】 【芝奇DDR4-2133-8G】 | |
| DDR4-2400 | CL17@1.2V 【17-17-17-39】 【瑞势DDR4-2400-4G】 | |
| DDR4-2667 | CL19@1.2V 【19-19-19-45】 【十铨DDR4-2666-16G】 | |
| DDR4-2933 | CL21@1.2V 【21-21-21-47】 【三星DDR4-3200-8G】 | |
| DDR4-3200 | CL22@1.2V 【22-22-22-52】 【三星DDR4-3200-8G】 |
内存手动超频经验
以下任何一种设置或多种设置的组合都视作超频：
1、降低内存时序
2、提升内存频率
增加内存电压而以提高超频后的稳定性，但与此同时，也会增加热量，因此增量要适度。
在DDR3时代，华硕主板（比如F2A85-M）给内存的预设电压是1.65V（内存SPD是1.50V），使其内存稳定性和性能比其它品牌的优秀。对于1和2，如果超频后出现不稳定情况，可以选择还原默认设置，也可以选择增加内存电压。
在现在的DDR4时代，给内存超频可能还要涉及到小参的调整。
在确保超频稳定性的前提下，来分析一下内存性能对频率和时序的敏感度
1、对DDR3内存来说，提升运行频率能带来更大的提升，2133-CL19的性能比1600-CL11好
2、对DDR4内存来说，运行频率和时序同样重要，3000-CL23的性能可能赶不上2666-CL17
如果主板支持内存频率超频，那么：
1、如果内存颗粒的体制好，可以采用提频+降时序(+调小参)，适当增加电压；
2、如果内存颗粒的体制一般，那提频和降时序二者往往不可兼得，则可采用提频+提时序+加电压获得高频，也可通过降时序+加电压(+调小参) 或**提频+加电压(+调小参)**获得低延迟。
如果主板不支持内存频率超频，那么：
1、如果内存颗粒的体制好，可以采用降时序(+调小参)，适当增加电压；
2、如果内存颗粒的体制一般，可通过**降时序+加电压(+调小参)**获得低延迟。
