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7N60-ASEMI高压MOS管7N60
型号：7N60
品牌：ASEMI
封装：TO-220AB
最大漏源电流：7A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：1.2Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管
工作结温：-55℃~150℃
7N60场效应管
7N60的电性参数：最大漏源电流7A；漏源击穿电压600V
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型号：7N60
品牌：ASEMI
封装：TO-220
电性参数7A 600V
正向电流：7A
反向耐压：600V
恢复时间：
引脚数量：3
芯片个数：1
芯片尺…
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型号：16N65
品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：16A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：0.17Ω
引脚数量：3
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品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：4A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：2.5Ω
引脚数量：3
沟道类…