这篇文章是西安电子科技大学郝跃院士团队关于p-GaN门高电子迁移率晶体管（HEMTs）在单粒子烧毁（SEB）性能方面的研究，特别关注了缓冲层参数对SEB的影响。文章通过技术计算机辅助设计（TCAD）模拟来分析不同缓冲层电子迁移率和重离子入射深度对SEB特性的影响。 引言（Introdu…