来源：半导体制造技术导论——萧宏 沉积和驱入过程 图5.34 硼掺杂工艺高温扩散炉系统示意图 图5.35 扩散掺杂工艺流程 图5.36 扩散工艺在超浅结深（USJ）上的应用

轻掺杂漏极（LDD）是一种低能量、低电流的注入工艺，通过该工艺在栅极附近形成浅结，以减少靠近漏极处的垂直电场。对于亚微米MOSFET来说，LDD是必需的，以便抑制热电子效应，这种效应会导致器件退化并…

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