STM32 FSMC接口控制SRAM(芯片型号：IS61WV102416BLL)

概述

1 硬件介绍

1.1 SRAM的电路

1.2 IS61WV102416ALL芯片

2 STM32Cube配置工程

2.1 配置FSMC

2.2 其他参数配置

2.3 生成工程

3 SRAM的功能验证

3.1 编写测试函数

3.1.1 写数据函数

3.1.2 读数据函数

3.2 完整代码

4 测试

测试代码下载地址：

stm32-f407-fsmc-sRAM资源-CSDN文库

概述

本文主要介绍使用STM32F4的FSMC控制SRAM，以扩展内存，文中介绍了SRAM相关的电路，以及和MCU之间的对应关系。还使用STM32Cube配置一个项目来实现FMSC操作SRAM的功能，并编写测试程序，验证该功能。

1 硬件介绍

1.1 SRAM的电路

1.2 IS61WV102416ALL芯片

TheISSIIS61WV102416ALL / BLLandIS64WV102416BLL高速，16m位静态RAM组织为1024K 16位。它是采用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这个高度可靠的过程加上创新的电路设计技术，产量高性能、低功耗器件。

当CE为HIGH(未选择)时，设备假定a在待机模式下，功耗可以随CMOS输入电平降低。通过使用Chip Enable，可以方便地扩展内存使能输入，CE和OE。主动LOWWrite Enable (WE)控制对象的写和读内存。一个数据字节允许上字节和下字节LB (Byte)访问。

芯片框架结构：

芯片引脚定义：

2 STM32Cube配置工程

2.1 配置FSMC

选项名称	类型
Chip Select	NE3
Memory type	SRAM
Address	20 bits
Data	16 bits

在 STM32Cube中的配置信息如下：

2.2 其他参数配置

SRAM芯片的使能信号与FSMC_NE3连接，所以它会被映射到STM32中的BANK1 NOR/SRAM3区域，该区域的地址范围为0x68000000-0x6BFFFFFF，因此，当内核访问从基地址0x68000000开始的2MB空间时，FSMC外设会自动控制原理图中的引脚产生访问时序，访问这个外部SRAM存储器。

2.3 生成工程

完成以上配置后，可以点击GENERATE生成项目，打开工程后，fsmc.c中已经生成了和FSMC相关的代码，包括接口函数如下：

函数名称： void MX_FSMC_Init(void)

功能： FSMC接口参数初始化

函数名称： static void HAL_FSMC_MspInit(void)

功能：和FSMC相关的IO初始化

3 SRAM的功能验证

3.1 编写测试函数

创建App/Fsmc文件目录，并在该目录下创建fsmc_test.c文件。然后在该文件中编写测试SRAM的带代码。

3.1.1 写数据函数

代码18行：确定扩展SRAM地址的buff

代码29行：向RAM地址写数据

3.1.2 读数据函数

代码46行：确定读数据的扩展SRAM地址

代码50行：从RAM中读取数据

3.2 完整代码

创建fsmc_test.c，然后在该文件中编写如下代码：

程序功能概述：

1）从地址0x68000000开始，写48k数据

2）从地址0x68000000开始，读48k数据

3）将写如下的数据打印出来

#include "fsmc_test.h"#define EXT_SRAM_ADDR   ((uint32_t)0x68000000)
#define EXT_SRAM_SIZE   (24* 1024)#define TEST_BUF_SIZE    1024*48
#define TEST_ADDRESS     0uint8_t g_TestBuf[TEST_BUF_SIZE];   /* 数据测试用缓冲区 */static void WriteTest(uint8_t _Value)
{uint32_t i, n;int32_t iTime1, iTime2;uint16_t *pBuf;uint16_t usTemp;pBuf = (uint16_t *)EXT_SRAM_ADDR;usTemp = (_Value << 8) + _Value;/* 写EEPROM, 起始地址 = 0，数据长度为 256 */iTime1 = HAL_GetTick();     /* 记下开始时间 */pBuf = (uint16_t *)EXT_SRAM_ADDR;for (n = 0; n < 10; n++){for (i = 0; i < EXT_SRAM_SIZE / 2; i++){*pBuf++ = usTemp;}}iTime2 = HAL_GetTick(); /* 记下结束时间 *//* 打印速度 */printf("数据写耗时: %dms, 写速度: %dKB/s\r\n", iTime2 - iTime1, (10 * (EXT_SRAM_SIZE / 1024)  * 1000) / (iTime2 - iTime1));
}static void ReadTest(void)
{uint16_t i;int32_t iTime1, iTime2;uint8_t *pBuf;/* 写EEPROM, 起始地址 = 0，数据长度为 256 */iTime1 = HAL_GetTick(); /* 记下开始时间 */pBuf = (uint8_t *)(EXT_SRAM_ADDR + TEST_ADDRESS);for (i = 0; i < TEST_BUF_SIZE; i++){g_TestBuf[i] = *pBuf++;}iTime2 = HAL_GetTick(); /* 记下结束时间 */printf("物理地址：0x%08X  大小: %d字节,  数据如下: \r\n", EXT_SRAM_ADDR + TEST_ADDRESS, TEST_BUF_SIZE);/* 打印数据 */for (i = 0; i < TEST_BUF_SIZE; i++){printf(" %02X", g_TestBuf[i]);if ((i & 31) == 31){printf("\r\n");   /* 每行显示16字节数据 */}else if ((i & 31) == 15){printf(" - ");}}/* 打印读速度 */printf("读耗时: %dms, 读速度: %dB/s\r\n", iTime2 - iTime1, (TEST_BUF_SIZE * 1000) / (iTime2 - iTime1));
}uint8_t bsp_TestExtSRAM(void)
{WriteTest(0x5A);ReadTest();
}