死区时间
死区时间是
PWM
输出时，为了使
H
桥或半
H
桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时
导通而设置的一个保护时段。
由于
IGBT
等功率器件都存在
一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。
一般在设计电路时已尽量降低该影响，
比如尽量提高控制极驱动电压电流，
设置结电容释放
回路等。为了使
igbt
工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，有必要设置死
区时间，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个
桥
臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，避免直通炸模块。
死区时间大，
模块工作更加可靠，
但会带来输出波形的失真及降低输出效率。
死区时间
小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为
us
级。
IGBT
在关断时的脉冲后沿因少数载流子的存储效应会产生一个较大的
“
拖尾
”
电流
，因此所
产生的关断能耗(
Eoff
)在早期产品中非常突出。
死区时间调整硬件解决方案
摘要：
针对不同厂家
IPM
要求的死区时间参数的不同，
