POWER IC REVIEWS

Power IC 利用经系统的输入电压生成5种工作电压，一般外界电压，NB为3.3V，Monitor为5V，TV一般为12V；
①VDD：各种逻辑IC电路工作电压，约3.3V左右，一般采用低压差线性稳压器（Low Dropout Voltage Regualtor ,LDO 电路）；
②AVDD：数据线上像素电压用的伽马主电压，在5~16V左右，一般采用Boost转换器进行升压得到；
③VGH：用于打开TFT的最大开态电压，约20V左右，最大可达到40V，一般采用正电荷泵进行电压转换（Positive Charge Bump）；
④VGL：用于关闭TFT的最大开态电压，约-5V左右，最大可达到-40V，一般采用负电荷泵进行电压转换（Negative Charge Bump）；
⑤VCOM：TFT基板或CF基板上的公共电极电压，在5~6V之间，一般采用电阻分压电路生成，从AVDD上分压得到。
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VDD生成:LDO电路

工作原理：根据差分放大器PN极两端的电压差值的增大或减小控制A输出的电流的增加或减小，控制NMOS的压降，从而稳定输出VDD。
注：NMOS此时相当于一个可变电阻，滤波，电容的滤波，隔直通交，意思是直流信号无法通过，交流信号可以通过。二极管的单向导通性，信号只能从正极流向负极,分压电阻100K欧姆，利用电阻R1和R2来控制LDO的最大输出电流：
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AVDD生成:Boost转换器

基本工作原理：开态时，NMOS导通，电感阻断电路电流，内部电流上升，类似电池存储电能；关态时，NMOS断开，电感发电，电流通过二极管流向RC负载。
V_out/V_in=1/1−D ，D表示开关态在一个转换周期的占空比
IC工作原理：IC调节脉冲宽度（PWM）在上升沿使NMOS导通，利用电阻R1和R2来控制LDO的最大输出电流：
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注：NMOS此时相当于一个开关，分压电阻R2一般为10K欧姆
Boost转换器基本电路

NMOS开态等效电路

NMOS关态等效电路

Boost转换器的集成IC

VGH和VGL生成:电荷泵（Charge Pump）（现已改进）

正电荷泵基础工作原理图
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NMOS和PMOS管示意图

基本工作原理：一个周期期间，前半周期，输入电压Vin对飞电容Cf进行充电，电压升到Vin，后半周期二极管D1导通，使Cf电压由Vin升至Vin+VA，在D2关闭之前，电荷从Cf传递到储能电容Co中。
IC工作原理：利用PMOS和NMOS进行控制，正电荷泵，前半周期NMOS导通，后半周期NMOS关断，PMOS导通，负电荷泵相反，来控制电路中Cf的充放电。一般设定基准电压VREF为1.25V，VGH为20V，分压电阻R2一般为10K欧姆。
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