一、IR2104的引脚定义：
芯片引脚意义（DataSheet）
SD信号为使能信号，高电平有效，芯片工作。IN为高电平时HO为高，LO为低；IN为低电平时，HO为低，LO为高电平，我们的PWM信号就是在这里输入（因为片内自带了CMOS和LSTTL电平兼容器，可以直接输入而不用考虑电平转换）。Vb是高侧浮动电源输入脚，HO是高侧门极驱动输出，Vs是高侧浮动电源回流。(相当于电源从Vb输入，从HO输出到电路上，然后再从Vs流回芯片形成回路）这三个控制上半桥的MOS导通。Vcc是低侧浮动输入及参考电源输入脚，LO是低侧门极驱动输出，COM是低侧回流。(与上面高侧一样的）这三个控制下半桥的MOS导通。
(提前说一下自己的理解，LO为高电平时，Vcc与LO在芯片内部相当于是连接的，低电平则断开。同理HO为高电平时，VB和HO是连接的，低电平时断开）
当IN为低电平时(这时sd是一直有高电平输入的)，HO为低电平，LO为高电平，此时Q2导通，Q1断开，Q2的D级S级导通，此时给C1充电，我们普遍认为C1上端电压为Vcc，下端电压近似为零，当IN变为高电平时，HO为高电平，LO为低电平，此时Q2断开，Q1导通，这时C1作用就显现出来了，我们先了解为什么要这个自举电容，我们先不看这个电容，我们都知道Nmos管要导通Vgs必须大于某个值，此时Q1的g级电压为HO的输出电压，Q1的s级电压为Vs上的电压等于零，导通瞬间，s级的电压等于Vcc减去mos管的导通压降，(注意在电路右上角还有一个Vcc）所以此时s级电压近似为Vcc,如果HO的输出电压为Vcc则此时Vgs等于零，mos管瞬间关闭，s级电压又降为零然后mos又导通，这样反复肯定不行的。所以HO的电压在Q1导通时必须大于Vcc，这样才能让mos导通一段时间 ，而不是瞬间关闭。因为电容电压不能突变，而又有二极管阻止电流回流会电源，所以此时VB引脚的输入电压为:电源电压(Vcc)加上电容上端电压(Vcc）(前面提过HO高电平时，HO与VB在芯片内部相当于连接的），这个只是近似值电压不一定这么高，此时，mos管导通时Vgs是大于导通电压的，但是Vgs会不断减小(电容不断放电），而后面Q1断开，Q2导通时，又给电容充电。这就是pwm波控制的。而电机，你可接在上面那个mos管的D级S级两端就OK了，也可以接在下面那个的D级S级两端就OK了,当然还是在上面的好。
