IRF100P218是一款N沟道功率MOSFET，主要用于高速开关和功率放大器应用。以下是IRF100P218的详细参数：
Vds（漏极-源极电压）：100V
Id（漏极电流）：20A
Vgs（栅极-源极电压）：±20V
Rds(on)（导通电阻）：0.018Ω
Qg（栅极电荷）：60nC
Qgs（栅极-源极电荷）：15nC
Qgd（栅极-漏极电荷）：30nC
Tj（结温）：175℃
Package（封装）：TO-247AC
IRF100P218具有低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷等特点，适用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、照明和音频功率放大器等应用。