目录
一、概述
1.主存的基本组成
2.主存与CPU之间的联系
3.主存中存储单元地址的分配
4.主存的技术指标
二、半导体存储芯片简介
1.半导体存储芯片的基本结构
2.半导体存储芯片的译码驱动方式： 线选法 重合法
三、随机存取存储器( RAM )
四、只读存储器(ROM)
五、存储器与CPU的连接
六、存储器的校验
七、提高访存速度的措施
一、概述
1.主存的基本组成
现在计算机的主存都由半导体集成电路构成。
图中的驱动器、译码器和读写电路均制作在存储芯片中，而MAR和MDR制作在CPU中。
2.主存与CPU之间的联系
存储芯片和CPU芯片可通过总线连接，如下图所示：
3.主存中存储单元地址的分配
主存各存储单元的空间位置是由单元地址号来表示的，而地址总线是用来指出存储单元地址号的，根据该地址可以读出或写入一个存储字。
4.主存的技术指标
主存的主要技术指标是存储容量和存储速度。
存储容量=存储单元个数×存储字长
若用字节总数来表示，即存储容量=存储单元个数×存储字长÷8
举例：某机主存的存储容量为256MB，则按字节寻址的地址线位数应对应（256÷8）=28（位）
须知：现代MOS型存储器的存储周期可达100ns；双极型TTL存储器的存取周期接近于10ns。
存储器的带宽决定了以存储器为中心的机器获得信息的传输速度，它是改善机器瓶颈的一个关键因素。
为了提高存储器的带宽，可以采用以下措施：
- ①缩短存取周期。
- ②增加存储字长，使每个存取周期可读/写更多的二进制位数。
- ③ 增加存储体。
