运放稳定性连载14:RO何时转变为ZO?(3)

news/2024/10/31 1:28:48/
我们现在知道了重负载和空载时的ZO意味着什么。我们关心的另一个关键曲线是RO变成最大值时的轻负载。我们并不十分清楚该工作点的位置,原因是我们不能看到OPA348 A-B类偏置级的内部,但在计算AC传输曲线之前,我们需要知道该点的位置。使用图7.34中的技术和电路将能够很快达到目的。如果我们继续运行如图所示的AC分析/计算AC结点电压分析,就可以变换V1值并迅速更新VOA。VOA的读数为均方根值。

我们将IG1设定为1A、AC生成器、f=1MHz(这正好处于RO主导ZO的频率范围之内)。一旦找到能够产生最大VOA 的V1值,就可以用其计算AC传输曲线。请注意:VOA的读数为均方根值,其中包含VOA的所有DC分量。另请注意:关于电流电平,在7.35μVrms区域中的DC值将会下降,与VOA在254.56Vrms区域的没有显著区别。轻负载下RO的AC幅度值为254.56Vrms / .707Arms = 360Ω(AC正弦波Arms = 0.707Ap)。

 

图 7.34:轻负载寻求最大RO

图7.35为ZO轻负载测试电路。

 

Fig. 7.35: ZO, light lLoad, IOUT = +7.35uA

图7.36是ZO轻负载AC传输函数分析结果。图中显示了我们预测到的360Ω RO,ZO在低于大约3kHz处呈现容性。

 

图 7.36:ZO AC图、轻负载IOUT = +7.35mA

轻负载模型(如图7.37所示)的QP处于开启状态而QM处于关闭状态,QP因其阻抗最低所以将决定RO的值。因为仅需7.35μA的负载电流即可关闭QM,所以最初假定的A-B类偏置电流为22.5μA 可能不正确。IAB的大小可能比7.35μA大不了多少。

 

图 7.37:轻负载ZO模型

图7.38为OPA348的完整ZO曲线集。我们所关心的关键曲线包括:

IOUT = +7.35uA (RO = 360Ω RO 最大)
IOUT = +7.35uA (RO = 196.75Ω RO 空载)
IOUT = +87.4uA (RO = 198.85Ω ) ,在此IOUT 值下,RO 约等于 RO 空载。
IOUT > 87.4μA 导致 RO < RO 空载
IOUT = +10mA (RO = 34.79Ω )

图示的其他曲线仅供验证处于关键曲线之间的工作状态。另外ZO曲线可用于判断负电流值的IOUT。但是在电流曲线的正值区域,这些曲线间距过密,无法将其置于IOUT的顶部,故将其省略以保证图表清晰。所有CMOS RRO放大器产品说明书应包含这些关键的ZO曲线。

 

图 7.38:完整的ZO曲线:CMOS RRO

要建立RRO CMOS放大器的等价ZO模型,我们需要分析ZO曲线上的断点fz。图7.39显示了这些断点在重负载和空载下的测量值。根据频率和RO值可以确定CO值。

 

图 7.39: ZO曲线上的断点fz

使用ZO图可以完成空载和重负载 (10mA)(如图7.40所示)下 给定IOUT负载的ZO模型。

 

图 7.40:ZO完整模型计算

CMOS RRO放大器的ZO及容性负载

如果通过初始放大器Aol建立修正Aol曲线,在驱动容性负载时,负载电容器CL将与ZO模型电容器CO串联。注意串联电容值的计算方式与并联电阻值的计算类似。因此,若CL < CO,则CL起决定作用;若CL>CO则CO起决定作用。修正Aol曲线的第二个极点fp2与RO及Ceq(CO及CL的等价电容)直接相关,图7.41显示了这些关键点。

 

图 7.41:修正Aol fp2的计算

图7.42是用来修正CMOS RRO放大器容性负载的Aol曲线的测试电路。LT使AC环路开路,而LT在DC工作点计算中却提供了短路作用。CT对DC开路,而对任何设定频率的AC短路。修正Aol曲线即VOA / VM。

 

图 7.42:修正Aol测试电路

图7.43为CL从空载至10,000nF的真实修正Aol曲线。fp2相应位置的测量值如图中标注所示。

 

图 7.43:CL修正Aol曲线

图7.44对fp2测量值与ZO模型预测值进行了对比。结果表明,我们可以自信地使用ZO模型来预测真实的修正Aol图。请注意1nF负载预测误差较大,原因是我们没有考虑OPA348 Aol第二个高频极点 (2.87MHz)的效应。因为CL与2.87MHz相差太大,另一个fp2位置可以确定,所以OPA348 Aol的第二个极点对预测没有影响。

 

图 7.44:修正Aol fp2预测值与真实值的比较

CMOS RRO放大器Aol上RL的低频效应

正当我们认为完成了CMOS RRO放大器的相关工作时……CMOS RRO放大器也出现了另一种低频Aol现象。CO与RL的相互作用产生了高通滤波效应,使Aol曲线的低频部分趋于平坦(如图7.45所示)。

 

图 7.45:RL的Aol低频效应

图7.46是分析RL对CMOS RRO Aol曲线影响的测试电路。很容易通过调整RL大小来观察Aol上的效应。

 

图 7.46:RL测试电路的Aol低频效应

图7.47清楚显示了空载、100kΩ以及5kΩ等阻性负载的低频Aol效应。

 

图 7.47: Aol低频部分的RL效应AC图

图7.48中的测试电路使我们可以看清CO及RL在CMOS RRO Aol曲线的低频区域的效应。Vaol代表空载、未修正的Aol曲线。VHP是CO及RL产生的高通滤波效应。VOA是未修正的Aol曲线通过由CO及RL形成的高通滤波器时产生的修正Aol曲线。

 

图 7.48:测评Aol上RL效应的等效电路

图7.49为RL=5kΩ时的综合AC曲线,显示了未修正的Aol曲线Vaol,CO及RL的高通滤波器效应和网络传递函数,以及Vaol通过VHP产生的修正Aol曲线VOA。由于Bode图上的加法等价于线性乘法,所以我们只需将Vaol与VHP相加即可得到VOA曲线。

 

图 7.49:测评Aol上RL效应的等效电路图

CMOS RRO放大器的ZO总结

图7.50总结了CMOS RRO放大器ZO的关键参数。在高频段,ZO由RO决定。对大多数负载而言,当DC输出负载电流增加时,RO降低并与IOUT成反比。然而,在低IOUT时,RO与IOUT成正比。在中低频区域,ZO是容性CO。如果容性负载CL连接到CMOS RRO输出上,则RO及CO将与CL相互作用并产生比原有的Aol曲线多一个极点fp2的修正Aol曲线。Aol曲线的低频部分受到阻性负载RL的影响,RL与CO相互作用形成高通滤波效应,使中低频区域的Aol曲线趋于平坦。RO随过程和温度而变化。有关过程及温度变化的经验法则是0.5×ROtyp (-55C) ~ 2× ROtyp (125C),其中ROtyp为25C时的RO典型值。我们研究得出的经验法则不总是适用于CMOS RRO放大器的开环输出阻抗。最完整和精确的ZO数据应该从放大器厂商处或经过测量获得。

 

图 7.50:CMOS RRO的ZO总结

鸣谢

谨此致谢提供有关ZO技术指导的下列个人:

TI Burr-Brown产品部:
高级模拟IC设计工程师,Sergey Alenin
高级模拟IC设计工程师,Tony Larson
高级模拟IC设计经理,Rod Burt
Analog & RF Models公司
技术顾问Bill Sands
(
http://www.home.earthlink.net/%7Ewksands/ )

参考文献

《模拟集成电路的分析与设计》,作者: Gray、Paul R及Meyer、Robert G;1977年纽约John Wiley & Sons
出版社
《电子电路》,作者:Charles A;1978 年纽约John Wiley & Sons出版社

作者简介

从亚利桑那大学毕业获得电子工程学士 (BSEE) 学位后,Tim Green 24年来作为工程师一直致力于模拟及混合信号电路板/系统级设计工程方面的研究工作,涉及的范围包括无刷马达控制、喷气式飞机引擎控制、导弹系统、功率放大器、数据采集系统以及CCD摄影技术等。Tim近期的工作包括模拟及混合信号半导体产品的战略营销。Tim目前担任TI位于亚利桑那州图森市Burr-Brown产品部的线性应用工程经理。

http://www.ppmy.cn/news/368653.html

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