韩国媒体BusinessKorea于5月2日报道称，英伟达（NVIDIA）正策略性地激发三星电子和SK海力士之间的竞争，此举可能是为了降低高性能带宽内存（High Bandwidth Memory，简称HBM）的价格。

报道指出，自2023年以来，第三代“HBM3 DRAM”的价格已飙升超过五倍，这对英伟达来说，关键组件HBM成本的大幅上涨无疑会增加其研发成本。因此，BusinessKorea指责英伟达故意泄露信息，促使当前和潜在供应商相互竞争，以此压低HBM的价格。这一策略与SK集团会长崔泰源4月25日前往硅谷与英伟达CEO黄仁勋会面的行动可能有所关联。

尽管英伟达已对三星领先的12层堆叠HBM3e进行了一个多月的测试，但仍未明确表示合作意向。报道援引消息人士的话说，这是英伟达刺激三星电子采取行动的策略性举动。三星电子刚宣布将于第二季度开始批量生产这种12层堆叠的HBM3e。

与此同时，SK海力士CEO郭鲁正于5月2日表示，公司2024年的HBM产能已被预订一空，2025年的产能也接近满载。他还透露，12层堆叠HBM3e的样品将于5月开始送样，预计第三季度投入量产。

郭鲁正强调，尽管当前AI应用主要集中在数据中心，但未来预计将迅速扩展至智能手机、PC、汽车等终端设备的本地AI应用上。因此，对于“超高速、大容量、低功耗”的AI专用内存的需求将急剧增加。他还提到，SK海力士在HBM、基于TSV的高容量DRAM、高性能eSSD等多个产品领域拥有行业领先的技术能力，未来将通过与全球合作伙伴的战略合作，为客户提供量身定制的顶级存储解决方案，以满足市场需求。

综上所述，英伟达似乎在利用其作为主要客户的影响力，促使两大内存制造商在HBM市场上的竞争加剧，以期获得更有利的采购条件。而SK海力士和三星电子均展示出在HBM技术上的强劲实力和对未来市场需求的积极布局，预示着高性能内存市场将迎来更为激烈的竞争与创新。