模拟IC设计π模型与T模型
拉扎维书讲的MOS模型为π模型，一般我们也用π模型进行公式的推导以及计算，但很多时候对于某些问题π模型推导过于复杂，反而我们用T模型进行电路特性理解公式推导会更加方便。本文主要介绍T模型。第一次在李致毅教授的bilibili课程上看到T模型确实懵逼了一会儿，O(∩_∩)O哈哈~
π模型
MOS管沟道饱和区电流ID
I d = 1 2 μ n C o x W L ( V G S − V T H ) 2 I_d=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (V_{GS}-V_{TH})^2 Id=21μnCoxLW(VGS−VTH)2
MOS管小信号模型
T模型
这个模型需要注意的是G级电流还是为0，T模型如何由π模型等效过来可以查看链接
具体应用优点
比如共栅极从射极看进去的等效电阻如何简单理解，带源极负反馈的共源极电路、共漏级电路电压增益计算。
共栅极输入电阻大约为1/gm。
共漏级（射随器）电压增益计算
