三星内存编号揭秘（一）

三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。下面，就给大家分别解释。

首先来解释一下四段号码的大概含义。

A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。

B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。

C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。

D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。

E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。

F部分实际上是由8个小部分组成的，分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。详细分解请看下一页。