STM32的GPIO控制寄存器开发

寄存器GPIO控制

寄存器地址

寄存器地址计算

某个寄存器地址，由三个参数决定：1、总线基地址（BUS_BASE_ADDR）；2，外设基于总线基地址的偏移量（PERIPH_OFFSET）；3，寄存器相对外设基地址的偏移量（REG_OFFSET）。可以表示为：
寄存器地址 = BUS_BASE_ADDR + PERIPH_OFFSET + REG_OFFSET

在这里插入图片描述

2.简单GPIO控制

每个GPI/O端口有两个32位配置寄存器(GPIOx_CRL，GPIOx_CRH)，两个32位数据寄存器(GPIOx_IDR和GPIOx_ODR)，一个32位置位/复位寄存器(GPIOx_BSRR)，一个16位复位寄存器(GPIOx_BRR)和一个32位锁定寄存器(GPIOx_LCKR)。根据数据手册中列出的每个I/O端口的特定硬件特征， GPIO端口的每个位可以由软件分别配置成多种模式。

输入浮空
输入上拉
输入下拉
模拟输入
开漏输出
推挽式输出
推挽式复用功能
开漏复用功能
每个I/O端口位可以自由编程，然而I/0端口寄存器必须按32位字被访问(不允许半字或字节访问)。GPIOx_BSRR和GPIOx_BRR寄存器允许对任何GPIO寄存器的读/更改的独立访问；这样，在读和更改访问之间产生IRQ时不会发生危险。

//#define GPIOB_CRH_addr  0X40010C04
//#define GPIOB_IDR_addr  0X40010C08
//#define GPIOB_ODR_addr  0X40010C0C
//#define GPIOB_BSRR_addr 0X40010C10
//#define GPIOB_BRR_addr  0X40010C14
//#define GPIOB_LCKR_addr 0X40010C18
//#define RCC_APB2ENR_addr    0X4002 1018  //偏移0x18//#define GPIOB_CRL       (*(unsigned int *)(0X40010C00))
//#define GPIOB_CRH       (*(unsigned int *)(0X40010C04))
//#define GPIOB_IDR       (*(unsigned int *)(0X40010C08))
//#define GPIOB_ODR       (*(unsigned int *)(0X40010C0C))
//#define GPIOB_BSRR      (*(unsigned int *)(0X40010C10))
//#define GPIOB_BRR       (*(unsigned int *)(0X40010C14))
//#define GPIOB_LCKR      (*(unsigned int *)(0X40010C18))
#define RCC_APB2ENR     (*(unsigned int *)(0X40021018))
#define GPIOB_BASE_addr  0X40010C00    typedef struct{volatile unsigned int CRL;volatile unsigned int CRH;volatile unsigned int IDR;volatile unsigned int ODR;volatile unsigned int BSRR;volatile unsigned int BRR;volatile unsigned int LCKR;
}GPIO;GPIO *GPIO_B=(GPIO*)(GPIOB_BASE_addr);
//由于结构体连续分配内存,并且GPIO配置寄存器也是连续的相隔4个字节，故寄存器地址能完整映射到结构体。int main()
{ RCC_APB2ENR=8;// GPIOB_CRL = 0XD00000;//00000000 10110000 00000000 0000000; // 配置PB5为复用推挽输出模式速度为50MHz//GPIOB_ODR = 0X10; // //GPIOB_ODR= 0; // GPIO_B->CRH=0X0011;GPIO_B->CRL=0Xd00000;//GPIO_B->ODR|=(1<<5);//低电平驱动LEDGPIO_B->ODR|=(1<<8);//高电平驱动有源蜂鸣器while(1);  }