一、FLASH简介
1、FLASH简介
（1）STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
（2）读写FLASH的用途：
利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
（3）在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序
（4）在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序
2、闪存模块组织
3、FLASH基本结构
4、FLASH解锁
（1）FPEC共有三个键值：
RDPRT键 = 0x000000A5（解除读保护的秘钥）
KEY1 = 0x45670123
KEY2 = 0xCDEF89AB
（2）解锁：
复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR
在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁
错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR
（3）加锁：
设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR
5、使用指针访问存储器
（1）使用指针读指定地址下的存储器：
uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
（2）使用指针写指定地址下的存储器：
*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
（3）其中：
#define __IO volatile （易变的数据，防止编译器优化）
6、程序存储器
（1）编程
（2）页擦除
（3）全擦除
7、选项字节
（1）选项字节
a.RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护
b.USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
c.Data0/1：用户可自定义使用
d.WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量）
（2）选项字节编程
a.检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
b.解锁FLASH_CR的OPTWRE位
c.设置FLASH_CR的OPTPG位为1（即将写入选项字节）
d.写入要编程的半字到指定的地址（指针写入操作）
e.等待BSY位变为0
f.读出写入的地址并验证数据
（3）选项字节擦除
a.检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
b.解锁FLASH_CR的OPTWRE位（选项字节里面有一个单独的解锁）
c.设置FLASH_CR的OPTER位为1（即将擦除选项字节）
d.设置FLASH_CR的STRT位为1（触发芯片，开始干活）
e.等待BSY位变为0
f.读出被擦除的选择字节并做验证
8、器件电子签名
（1）电子签名（ID号）存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名
（2）闪存容量寄存器：
基地址：0x1FFF F7E0
大小：16位
（3）产品唯一身份标识寄存器：
基地址： 0x1FFF F7E8
大小：96位
二、读写内部FLASH
1、按照以下接线方式连接，并将STLINK插到电脑上
2、FLASH函数驱动模块
（1）FLASH库函数的功能
