目录
概述
1 功能介绍
1.1 基本介绍
1.2 主要特性
2 芯片硬件特性
2.1 引脚定义
2.2 芯片内部实现框图
2.3 经典应用电路
3 应用设计要求
3.1 VCC电压
3.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
3.3 输入信号和输出信号逻辑真值表
4 电气特性
概述
本文主要介绍EG2133 (三相独立半桥驱动芯片)的主要功能，内部结构，设计要求和主要参数。
1 功能介绍
1.1 基本介绍
EG2133 是一款高性价比的大功率 MOS 管、 IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2133 高端的工作电压可达 300V，低端 VCC 的电源电压范围宽 4.5V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态， 输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A，采用 TSSOP20 封装。
1.2 主要特性
◼ 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 300V
◼ 集成三路独立半桥驱动
◼ 适应 5V、 3.3V 输入电压
◼ 最高频率支持 500KHZ
◼ 低端 VCC 电压范围 4.5V-20V
◼ 输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A
◼ 内建死区控制电路
◼ 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
◼ HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出
◼ LIN ̅̅̅̅̅输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出
◼ 封装形式： TSSOP20
2 芯片硬件特性
2.1 引脚定义
1）芯片封装
2）引脚描述
2.2 芯片内部实现框图
2.3 经典应用电路
2.4 实用电路
3 应用设计要求
3.1 VCC电压
针对不同的MOS管，选择不同的驱动电压：
高压开启MOS管推荐电源VDD： 工作电压典型值为10V-15V；
低压开启 MOS 管推荐电源 VCC ： 工作电压 4.5V-10V。
3.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
EG2133 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上，低电平阀值为 1.0V 以下，要求逻辑信号的输出电流小，可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到 EG2133 的输入通道上。
高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达 1.2A和最大输出电流可达 1.4A, 高端上桥臂通道可以承受 300V 的电压，输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为 300nS、关断传导延时为 100nS,高端输出开通传导延时为 220nS、关断传导延时为200nS。低端输出开通的上升时间为 25nS、关断的下降时间为 20nS, 高端输出开通的上升时间为 25nS、关断的下降时间为 20nS。
输入信号和输出信号逻辑功能图如图 ：
3.3 输入信号和输出信号逻辑真值表
从真值表可知：
1） 当输入逻辑信号 HIN 为“1”和LIN ̅̅̅̅为“1”时，驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开， LO 为“0”下管关断；
2） 当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和LIN ̅̅̅̅为“0”时，驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断， LO 为“1”下管打开；
3）在输入逻辑信号 HIN 为“1”和LIN ̅̅̅̅为“0”或者 HIN 为“0”和LIN ̅̅̅̅为“1”时，驱动器控制输出 HO、 LO 为“0”将上、下功率管同时关断；
内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相互闭锁功能。
4 电气特性
1）极限参数
2） 典型参数
3）开关时间特性及死区时间波形图
