STM32的内部Flash根据型号和容量的不同，分区方式可能有所差异，但通常都包含以下几个主要部分：

主存储器：这是内部Flash的主要部分，用于存放程序代码和数据常量。在STM32F4系列中，主存储器被划分为多个扇区，例如STM32F4共有12个主存储器扇区，这12个扇区分为4个16KB、1个64KB以及7个128KB扇区。不同型号的STM32，其Flash容量和扇区大小也会有所不同。例如，STM32F103C8T6的内部Flash容量为64KB，被划分为多个1KB大小的扇区；而STM32F103ZET6的Flash容量则为512KB或1024KB，扇区大小可能为2KB或4KB。
系统存储器：这部分存储器包含出厂时就已经存在的boot代码，用于在系统存储器自举模式下启动设备。它通常用于给主存储器下载代码，例如通过CAN、串口等方式进行代码下载时，就会用到这部分存储器。
OTP（一次性可编程）区域：OTP区域共528字节，被分成两个部分。前面512字节（32字节为1块，分成16块）可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次后不可擦除）。后面16字节用于锁定对应块，以防止数据被意外修改。
选项字节：选项字节用于配置Flash的读写保护、电源管理中的BOR级别、软件/硬件看门狗等功能。这部分共32字节，可以通过修改Flash的选项控制寄存器来进行配置。
此外，对于某些STM32系列（如STM32F1），其内部Flash还可能包含信息块和闪存存储器接口寄存器等部分。信息块通常包含启动程序代码和选择字节，而闪存存储器接口寄存器则用于控制Flash的读写操作。

在进行Flash读写操作时，通常需要遵循以下步骤：

启用Flash访问：通过设置Flash控制寄存器（FLASH_CR）中的特定位来启用对Flash的访问权限。
解锁Flash：通过向FLASH_KEYR寄存器写入特定值来解锁Flash，以允许对其进行写操作。
检查Flash状态：在进行Flash编程之前，需要检查Flash是否处于忙碌状态。可以通过读取FLASH_SR寄存器中的BSY位来判断。
执行Flash编程：将要写入的数据写入Flash目标地址。写入操作通常是按字进行的，即每次写入4个字节（或根据并行位数不同而有所变化）。
等待Flash操作完成：执行Flash编程后，需要等待编程操作完成。可以通过轮询FLASH_SR寄存器中的BSY位来检查。
锁定Flash：完成Flash编程后，应该锁定Flash以防止意外修改。通过将FLASH_CR寄存器中的LOCK位设置为1来锁定Flash。
需要注意的是，进行Flash编程时需要小心谨慎，因为不正确的操作可能会导致Flash数据的损坏。因此，在编程之前应仔细阅读相关的芯片参考手册，并按照手册中提供的准确步骤和注意事项进行操作。