STM32 GPIO工作模式

ops/2025/1/23 11:57:50/

GPIO工作模式

  • 1. GPIO简介
  • 2. GPIO工作模式
    • 2.1 输入浮空
    • 2.2 输入上拉
    • 2.3 输入下拉
    • 2.4 模拟
    • 2.5 开漏输出
    • 2.6 推挽输出
    • 2.7 开漏式复用功能
    • 2.8 推挽式复用功能

1. GPIO简介

  GPIO 是通用输入输出端口的简称,简单来说就是 STM32 可控制的引脚,STM32 芯片的 GPIO 引脚与外部设备连接起来,从而实现与外部通讯、控制以及数据采集的功能。STM32 芯片的 GPIO 被分成很多组,每组最多 16 个 IO 口,组数视芯片而定。比如:STM32F407ZGT6 芯片是 144 脚的芯片,分为 7 组,分别是:GPIOA、GPIOB、GPIOC、GPIOD、GPIOE、GPIOF 和 GPIOG,其中 112 个 IO 口是 GPIO 引脚,所有的 GPIO引脚都有基本的输入输出功能。
  最基本的输出功能:是由 STM32 控制引脚输出高、低电平,实现开关控制,如把 GPIO 引脚接入到 LED 灯,那就可以控制 LED 灯的亮灭,引脚接入到继电器或三极管,那就可以通过继电器或三极管控制外部大功率电路的通断。
  最基本的输入功能:是检测外部输入电平,如把 GPIO 引脚连接到按键,通过电平高低区分按键是否被按下。

2. GPIO工作模式

GPIO 工作模式模式描述应用场景
1.输入浮空用于读取外部信号的电平1.外部电路已经提供了上拉或下拉电阻
2.输入上拉上拉电阻将引脚拉至高电平,用于确保引脚在未连接外部
信号时保持稳定的电平。
1.按键检测:确保按键未按下时引脚为高电平
2.信号抗干扰:减少外部噪声对引脚电平的影响
3.输入下拉下拉电阻将引脚拉至低电平,用于确保引脚在未连接外部
信号时保持稳定的电平。
1.信号抗干扰:减少外部噪声对引脚电平的影响
4.模拟引脚的数字输入和输出功能被禁用,用于连接模拟信号。1.ADC 输入:连接模拟传感器(如温度传感器)
2.DAC 输出:输出模拟信号(如音频信号)
5.开漏输出只能输出低电平或高阻态,外部上拉电阻才能提供高电平。1.I2C 总线:SDA 和 SCL 通常配置为开漏输出
2.电平转换:用于不同电压电平之间的信号转换
3.多设备共享信号线:如中断信号线
6.推挽输出可以输出高低电平,驱动能力强,适合驱动大电流负载。1.LED 控制:直接驱动 LED
2.电机控制:驱动电机驱动器
3.数字信号输出:输出高电平或低电平信号
7.开漏式复用同<开漏输出>同<开漏输出>
8.推挽式复用同<推挽输出>同<推挽输出>


在这里插入图片描述
最右边的 I/O 引脚就是我们可以看到的芯片实物的引脚,其他部分都是 GPIO 的内部结构。
① 保护二极管
保护二极管共有两个,用于保护引脚外部过高或过低的电压输入。当引脚输入电压高于VDD 时,上面的二极管导通,当引脚输入电压低于 VSS 时,下面的二极管导通,从而使输入芯片内部的电压处于比较稳定的值。虽然有二极管的保护,但这样的保护却很有限,大电压大电流的接入很容易烧坏芯片。如 STM32 的引脚能直接外接大功率驱动器件(电机),强制驱动要么电机不转,要么导致芯片烧坏,必须要加大功率及隔离电路驱动。

② 上拉、下拉电阻
它们阻值大概在 30~50K 欧之间,可以通过上、下两个对应的开关控制,这两个开关由寄存器控制。当引脚外部的器件没有干扰引脚的电压时,即没有外部的上、下拉电压,引脚的电平由引脚内部上、下拉决定,开启内部上拉电阻工作,引脚电平为高,开启内部下拉电阻工作,则引脚电平为低。同样,如果内部上、下拉电阻都不开启,这种情况就是我们所说的浮空模式。浮空模式下,引脚的电平是不可确定的。引脚的电平可以由外部的上、下拉电平决定。需要注意的是,STM32 的内部上拉是一种“弱上拉”,这样的上拉电流很弱,如果有要求大电流还是得外部上拉。

③ 施密特触发器
对于标准施密特触发器,当输入电压高于正向阈值电压,输出为高;当输入电压低于负向阈值电压,输出为低;当输入在正负向阈值电压之间,输出不改变,也就是说输出由高电准位翻转为低电准位,或是由低电准位翻转为高电准位对应的阈值电压是不同的。只有当输入电压发生足够的变化时,输出才会变化,因此将这种元件命名为触发器。这种双阈值动作被称为迟滞现象,表明施密特触发器有记忆性。从本质上来说,施密特触发器是一种双稳态多谐振荡器。施密特触发器可作为波形整形电路,能将模拟信号波形整形为数字电路能够处理的方波波形,而且由于施密特触发器具有滞回特性,所以可用于抗干扰,其应用包括在开回路配置中用于抗扰,以及在闭回路正回授/负回授配置中用于实现多谐振荡器。
比较器的(A)和施密特触发器(B)作用比较可知: 施密特触发器对外部输入信号具有一定抗干扰能力。
在这里插入图片描述

④ P-MOS 管和 N-MOS 管
这个结构控制 GPIO 的开漏输出和推挽输出两种模式。
推挽输出: 输入高电平时,经过反向后,上方的 P-MOS 导通,下方的 N-MOS 关闭,对外输出高电平;而在该结构中输入低电平时,经过反向后,N-MOS 管导通,P-MOS 关闭,对外输出低电平。当引脚高低电平切换时,两个管子轮流导通,P 管负责灌电流,N 管负责拉电流,使其负载能力和开关速度都比普通的方式有很大的提高。(推挽输出的低电平为 0 伏,高电平为 3.3 伏)
开漏输出: 上方的 P-MOS 管完全不工作。如果我们控制输出为 0,低电平,则 P-MOS 管关闭,N-MOS 管导通,使输出接地,若控制输出为 1 (它无法直接输出高电平) 时,则 P-MOS 管和 N-MOS 管都关闭,所以引脚既不输出高电平,也不输出低电平,为高阻态。

输出数据寄存器
前面提到的双 MOS 管结构电路的输入信号,是由 GPIO输出数据寄存器 GPIOx_ODR提供的,因此我们通过修改输出数据寄存器的值就可以修改 GPIO 引脚的输出电平。而置位/复位寄存器 GPIOx_BSRR可以通过修改输出数据寄存器的值从而影响电路的输出。

复用功能输出
复用功能输出中的复用是指 STM32 的其它片上外设对 GPIO 引脚进行控制,此时 GPIO 引脚用作该外设功能的一部分,算是第二用途。从其它外设引出来的 复用功能输出信号 与 GPIO 本身的数据据寄存器都连接到双 MOS 管结构的输入中,通过图中的梯形结构作为开关切换选择。例如我们使用 USART 串口通讯时,需要用到某个 GPIO 引脚作为通讯发送引脚,这个时候就可以把该 GPIO 引脚配置成 USART 串口复用功能,由串口外设控制该引脚,发送数据。

输入数据寄存器
看 GPIO 结构框图的上半部分,GPIO 引脚经过内部的上、下拉电阻,可以配置成上/下拉输入,然后再连接到施密特触发器,信号经过触发器后,模拟信号转化为 0、1 的数字信号,然后存储在输入数据寄存器 GPIOx_IDR中,通过读取该寄存器就可以了解 GPIO 引脚的电平状态。

复用功能输入
复用功能输出模式类似,在 复用功能输入模式 时,GPIO 引脚的信号传输到 STM32 其它片上外设,由该外设读取引脚状态。同样,如我们使用 USART 串口通讯时,需要用到某个 GPIO 引脚作为通讯接收引脚,这个时候就可以把该 GPIO 引脚配置成 USART 串口复用功能,使 USART 可以通过该通讯引脚的接收远端数据。

模拟输入输出
当 GPIO 引脚用于 ADC 采集电压的输入通道时,用作 模拟输入 功能,此时信号是不经过施密特触发器的,因为经过施密特触发器后信号只有 0、1 两种状态,所以 ADC 外设要采集到原始的模拟信号,信号源输入必须在施密特触发器之前。类似地,当 GPIO 引脚用于 DAC 作为模拟电压输出通道时,此时作为 模拟输出 功能,DAC 的模拟信号输出就不经过双 MOS 管结构,模拟信号直接输出到引脚。

2.1 输入浮空

在这里插入图片描述

上拉/下拉电阻为断开状态,施密特触发器打开,输出被禁止。
输入浮空模式下,IO 口的电平完全是由外部电路决定。如果 IO 引脚没有连接其他的设备,那么检测其输入电平是不确定的。
可通过输入数据寄存器 GPIOx_IDR 读取 I/O 状态( 引脚电平由外部电路决定)。 该模式可以用于按键检测等场景

2.2 输入上拉

在这里插入图片描述

上拉电阻导通,施密特触发器打开,输出被禁止。
在需要外部上拉电阻的时候,可以使用内部上拉电阻,这样可以节省一个外部电阻,但是内部上拉电阻的阻值较大,所以只是“弱上拉”,不适合做电流型驱动。VDD正电源电压(如 3.3V 或 5V)
可通过输入数据寄存器 GPIOx_IDR 读取 I/O 状态( 引脚电平为高)。

2.3 输入下拉

在这里插入图片描述

下拉电阻导通,施密特触发器打开,输出被禁止。
在需要外部下拉电阻的时候,可以使用内部下拉电阻,这样可以节省一个外部电阻,但是内部下拉电阻的阻值较大,所以不适合做电流型驱动。VSS参考地(如 0V)
可通过输入数据寄存器 GPIOx_IDR 读取 I/O 状态( 引脚电平为低)。

2.4 模拟

在这里插入图片描述

上下拉电阻断开,施密特触发器关闭,双 MOS 管也关闭。
该模式用于 ADC 采集或者 DAC 输出,或者低功耗下省电。

2.5 开漏输出

在这里插入图片描述


P-MOS截止,N-MOS工作,施密特触发器打开。

  1. P-MOS 被 输出控制 控制在截止状态,因此 IO 的状态取决于 N-MOS 的导通状况。
  2. 只有N-MOS还受控制于输出数据寄存器 GPIOx_ODR 输出控制 对输入信号进行了逻辑非的操作。
  3. IO 到输入电路的采样电路仍被打开,且可以选择是否使用上下拉电阻。


输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O输出低电平:

  • 开漏模式下,P-MOS 管是一直截止的,所以 P-MOS 管的栅极一直接 VSS。如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 0 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 1 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VSS,即输出低电平。

输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O 不输出高低电平 / 输出高电平(通过上拉电阻实现):

  • 开漏模式下,P-MOS 管是一直截止的,所以 P-MOS 管的栅极一直接 VSS。如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 1 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 0 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会截止。因为 P-MOS 管是一直截止的,使得 I/O 引脚呈现高阻态,即不输出低电平,也不输出高电平。因此要 I/O 引脚输出高电平就必须接上拉电阻。这时可以接内部上拉电阻,或者接一个外部上拉电阻。由于内部上拉电阻的阻值较大,所以只是“弱上拉”。需要大电流驱动,请接外部的上拉电阻。此外,上拉电阻具有线与特性,即如果有很多开漏模式的引脚连在一起的时候,只有当所有引脚都输出高阻态,电平才为 1,只要有其中一个为低电平时,就等于接地,使得整条线路都为低电平 0。我们的 IIC 通信(IIC_SDA)就用到这个原理。

施密特触发器打开,可以读取 IO 口数据:

  • 在开漏输出模式下,施密特触发器是打开的,所以 IO 口引脚的电平状态会被采集到输入数据寄存器 GPIOx_IDR 中,如果对输入数据寄存器进行读访问可以得到 IO 口的状态。也就是说开漏输出模式下,我们可以对 IO 口进行读数据。

2.6 推挽输出

在这里插入图片描述


P-MOS工作,N-MOS工作,施密特触发器打开。

输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O输出低电平:

  • 如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 0 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 1 到 P-MOS 管的栅极,这时 P-MOS 管就会截止,同时也会输出逻辑 1 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VSS,即输出低电平。

输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O输出高电平:

  • 如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 1 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 0 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会截止,同时也会输出逻辑 0 到 P-MOS 管的栅极,这时 P-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VDD,即输出高电平。

施密特触发器打开,可以读取 IO 口数据:

  • 在推挽输出模式下,施密特触发器是打开的,所以 IO 口引脚的电平状态会被采集到输入数据寄存器 GPIOx_IDR 中,如果对输入数据寄存器进行读访问可以得到 IO 口的状态。也就是说推挽输出模式下,我们可以对 IO 口进行读数据。


注意:
推挽输出模式下,P-MOS 管和 N-MOS 管同一时间只能有一个 MOS 管是导通的。当引脚高低电平切换时,两个管子轮流导通,一个负责灌电流,一个负责拉电流,使其负载能力和开关速度都有很大的提高。由于推挽输出模式输出高电平时,是直接连接 VDD ,所以驱动能力较强,可以做电流型驱动,驱动电流最大可达 25mA。该模式也是最常用的输出模式。

2.7 开漏式复用功能

在这里插入图片描述


P-MOS截止,N-MOS工作,施密特触发器打开。

  1. P-MOS 被 输出控制 控制在截止状态,因此 IO 的状态取决于 N-MOS 的导通状况。
  2. 只有N-MOS还受控制于输出数据寄存器 GPIOx_ODR 输出控制 对输入信号进行了逻辑非的操作。
  3. IO 到输入电路的采样电路仍被打开,且可以选择是否使用上下拉电阻。


输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O输出低电平:

  • 开漏模式下,P-MOS 管是一直截止的,所以 P-MOS 管的栅极一直接 VSS。如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 0 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 1 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VSS,即输出低电平。

输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O 不输出高低电平 / 输出高电平(通过上拉电阻实现):

  • 开漏模式下,P-MOS 管是一直截止的,所以 P-MOS 管的栅极一直接 VSS。如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 1 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 0 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会截止。因为 P-MOS 管是一直截止的,使得 I/O 引脚呈现高阻态,即不输出低电平,也不输出高电平。因此要 I/O 引脚输出高电平就必须接上拉电阻。这时可以接内部上拉电阻,或者接一个外部上拉电阻。由于内部上拉电阻的阻值较大,所以只是“弱上拉”。需要大电流驱动,请接外部的上拉电阻。此外,上拉电阻具有线与特性,即如果有很多开漏模式的引脚连在一起的时候,只有当所有引脚都输出高阻态,电平才为 1,只要有其中一个为低电平时,就等于接地,使得整条线路都为低电平 0。我们的 IIC 通信(IIC_SDA)就用到这个原理。

施密特触发器打开,可以读取 IO 口数据:

  • 在开漏输出模式下,施密特触发器是打开的,所以 IO 口引脚的电平状态会被采集到输入数据寄存器 GPIOx_IDR 中,如果对输入数据寄存器进行读访问可以得到 IO 口的状态。也就是说开漏输出模式下,我们可以对 IO 口进行读数据。


注意:
一个 IO 口可以是通用的 IO 口功能,还可以是其他外设的特殊功能引脚,这就是 IO 口的复用功能。一个 IO 口可以是多个外设的功能引脚,我们需要选择作为其中一个外设的功能引脚。当选择复用功能时,引脚的状态是由对应的外设控制,而不是输出数据寄存器。

2.8 推挽式复用功能

在这里插入图片描述


P-MOS工作,N-MOS工作,施密特触发器打开。

输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O输出低电平:

  • 如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 0 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 1 到 P-MOS 管的栅极,这时 P-MOS 管就会截止,同时也会输出逻辑 1 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VSS,即输出低电平。

输出数据寄存器 GPIOx_ODR 控制 I/O输出高电平:

  • 如果输出数据寄存器 GPIOx_ODR设置为 1 时,经过 输出控制 的逻辑非操作后,输出逻辑 0 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会截止,同时也会输出逻辑 0 到 P-MOS 管的栅极,这时 P-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VDD,即输出高电平。

施密特触发器打开,可以读取 IO 口数据:

  • 在推挽输出模式下,施密特触发器是打开的,所以 IO 口引脚的电平状态会被采集到输入数据寄存器 GPIOx_IDR 中,如果对输入数据寄存器进行读访问可以得到 IO 口的状态。也就是说推挽输出模式下,我们可以对 IO 口进行读数据。


注意:

  1. 推挽输出模式下,P-MOS 管和 N-MOS 管同一时间只能有一个 MOS 管是导通的。当引脚高低电平切换时,两个管子轮流导通,一个负责灌电流,一个负责拉电流,使其负载能力和开关速度都有很大的提高。由于推挽输出模式输出高电平时,是直接连接 VDD ,所以驱动能力较强,可以做电流型驱动,驱动电流最大可达 25mA。该模式也是最常用的输出模式。
  2. 一个 IO 口可以是通用的 IO 口功能,还可以是其他外设的特殊功能引脚,这就是 IO 口的复用功能。一个 IO 口可以是多个外设的功能引脚,我们需要选择作为其中一个外设的功能引脚。当选择复用功能时,引脚的状态是由对应的外设控制,而不是输出数据寄存器。

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