金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，以下简称MOS管）作为现代电子设备中最常见的功率开关元件之一，其静态参数的准确测量对于设备的稳定性和性能至关重要。MOS管的静态参数涉及到多个方面，如漏源击穿电压、开启电压、导通电阻、栅源驱动电流等，这些参数决定了MOS管在不同工作条件下的可靠性和性能。

一、漏-源击穿电压（V(BR)DSS）
漏-源击穿电压（V(BR)DSS）是MOS管在栅源电压为0时，能够承受的最大漏源电压。它是MOS管的一个重要极限参数，通常用于判断MOS管的工作安全性。在电气设计中，工作电压必须始终低于V(BR)DSS，以防止MOS管因击穿而损坏。此外，V(BR)DSS具有正温度系数的特性，即温度升高时，击穿电压会略微下降，因此在低温环境下的测试值通常作为安全设计依据。

二、开启电压（VTH）
开启电压（VTH）是指MOS管栅源电压达到一定值时，漏源之间开始导通的最小栅电压。当栅极电压VGS超过VTH时，MOS管的漏区与源区通过反型层形成连接的沟道，允许电流流通。在实际应用中，VTH通常在漏极短接的条件下，以ID=1mA的栅电压值来定义。需要注意的是，VTH随温度变化而变化，通常温度升高时，VTH会略微降低。

三、导通电阻（RDS(on)）
导通电阻（RDS(on)）是指MOS管在导通状态下，漏极与源极之间的电阻。它是决定MOS管开关效率和功率损耗的重要参数。RDS(on)受多种因素影响，包括MOS管的结构、栅极氧化层的厚度、沟道的长度与宽度等。在低压MOS管中，RDS(on)的主要构成部分是沟道区域电阻（RCH）&