一、内存条和内存颗粒

        内存颗粒指的是DDR内存芯片，其可以在电路板上单独使用，也可以通过多片内存颗粒组合成内存条进行使用。在计算机系统中，一般使用内存条。常用的内存颗粒的品牌有：镁光和三星等。镁光的某款DDR颗粒的正面和反面图片如下所示。

        内存条主要分为DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）和SIMM（Single Inline Memory Module，单列直插内存模块）。从名字就可以看出，DIMM的两侧的金手指不是互通的，具备更多的传输引脚，可以独立传输信号。目前使用的大多是DIMM，此处重点看一下DIMM。DIMM的实物图片如下：

        DIMM常用的类型有以下几种：

        RDIMMs：registered DIMM。地址和控制信号在内存条上经过寄存，时钟经过PLL锁相处理。一般而言，容量更大，数据存储更稳定，但是单个数据的读写访问都要延后一个时钟周期。

        UDIMMs ：unbuffered DIMM。指的是没有经过缓冲，数据和地址信号直接连接到DDR颗粒的内存模组（无缓冲器延时处理）。

        SODIMMs：Small outline DIMM,小型双列直插内存模块。SODIMMs也是无缓冲的，但是其尺寸更小，其主要用于笔记本等一些对尺寸有要求的产品中。

二、内存颗粒的结构

 1、memory cell

        DDR内存是一种随机访问的掉电丢失数据的存储器。为什么DDR中的数据掉电后会丢失数据呢？ 这是内部的电路决定的。

        DDR存储数据的核心部件是电容，其存储1bit数据的最小电路memory cell如下：

        电容充满电时，保存数据为1'b1；电容放完电，保存数据为1‘b0。

        写过程中，首先使行地址有效，然后通过列地址信号，写驱动器将数据写入到电容中。

        读过程中，行地址有效，然后列地址选通，连通电容一端。此时通过采集放大器感知列地址线上的电压高低，读取到数据。

2、DDR的行列地址选通

        一个DDR颗粒，少则几百Mb的存储空间，多则几个G的存储空间，那么其内部到底是怎么的结构呢？具体如何读写呢？

        我们首先看一个简易的举例，假设有一个DDR颗粒，其只有一个BANK，行地址有8位，列地址有8位，其结构图如下：

        DDR外部接口的几个重要的引脚信号是是：行地址选中信号RAS，列地址选中信号CAS，写信号WE，地址信号，数据信号。

        读取图中黄色单元内的数据，需要执行的步骤如下：

        1、RAS信号有效，时序控制模块输出行地址至行地址解码模块，行地址解码模块将行地址6进行选通。此时位于行地址6的8个memory cells等待进行处理。

        2、由于我们的目标是黄色memory cell的内容，但是此时采样放大电路会将本行所有的memory cells读取出。

        3、。CAS有效后，时序控制模块输出列地址信号，有列地址解码器控制，选择对应列的数据进行输出。

        4、当然，这还并没有结束， 读取memory cell的过程是一个破坏性的过程，会使电容发生放电或者充电。为了保证memory cells中的数据保持不变，写驱动器需要再执行写操作，将读取的值再重新写入到每个memory cells中。

        5、关闭当前行的选通。

        6、剩下的就是预充电操作，为下一个操作进行准备。

        简单的DDR的读数据时序图如下所示。

        那么往黄色单元内写数据，需要执行的步骤如下：

        1、RAS信号有效，时序控制模块输出行地址至行地址解码模块，行地址解码模块将行地址6进行选通。此时位于行地址6的8个memory cells等待进行处理。

        2、由于我们的目标是黄色memory cell的内容，但是此时采样放大电路会将本行所有的memory cells读取出。

        3、WE信号有效，写入数据被锁存在数据缓冲器中。

        4、列地址选通信号CAS有效，此时，新输入的数据被写入到黄色memory cell中，而同时，则将采样放大器采集到的数据保持不变，写入到对应的memory cell中。

        5、关闭当前行的选通。

        6、剩下的就是预充电操作，为下一个操作进行准备。

        简单的DDR的写数据时序图如下所示。

        以上基本就是DDR颗粒的工作原理。注意的是，上述所有描述的都是1bit数据的读写，如果要实现2bits、4bits、8bits或者16bits数据的读写，只需要堆叠2个、4个、8个或者16个上述的硬件结构即可。如下图8bits的DDR颗粒结构图（一组这样的存储阵列，也称为1个BANK）。

3、DDR的BANK

        对于DDR的BANK，即将上面8bits的DDR阵列图，堆叠多个，其示意图如下：

        支持多个BANK的DDR颗粒，引脚信号是一般具有BANK_ADDR信号，用来区分访问的是哪一个BANK。同一个DDR颗粒的不同BANK不能同时访问。

        所以对于DDR颗粒而言，1个DDR颗粒多半多个BANK，1个BANK包含多个N bits存储阵列，Nbits存储阵列由N个1bits存储阵列组成，1bits存储阵列由无数个行列memory cell组成。

4、如何提高DDR数据访问速度

        a、数据突发传输

                通常DDR具备突发功能，即可以输出一行的连续列地址的数据。一般，DDR2可以突发传输4个字（DDR数据总线宽度），DDR3突发长度是8，DDR4突发长度是16。

        b、BANK交织

        最后，说一下内存的BANK交织。其目的是利用DDR的不同BANK相互独立的特性，最大限度的提高数据读写的速率：

        当读写完当前BANK的一行时，不能立刻读写此BAN的下一行，而是需要进行当前行的关闭，预充电等一系列操作，可能需要十几个或者二十几个时钟周期。为了减少时间的浪费，在当前BANK的当前行进行行关闭和预充电操作的同时，可以先行读写下一个BANK，通过这种方式实现读写速率的提高。

三，其他概念

        RANK概念：rank是为了rank是为了凑cpu的位数。例如cpu是64bit的，但是sdram一般是8bit，所以要凑8个，也就是数据位扩展，这8个就叫一个rank。

本文参考了以下视频内容，有需要的可以参考学习。DRAM基本工作原理_Memory Cells_哔哩哔哩_bilibili