内存模型

https://qq742971636.blog.csdn.net/article/details/108892807

单片机的Flash里面的区域不是全都能写的：https://blog.csdn.net/u014470361/article/details/79297601

找一下手册看看MSP430F5529单片机哪些地址区域能写：
下图：

闪存内存可以通过 JTAG 端口、Spy-Bi-Wire (SBW)、BSL 或者由 CPU 在系统中进行编程。CPU 可以对闪存内存进行单字节、单字和长字的写入操作。
闪存内存的特性包括：
闪存内存由 n 个主存储器段和四个信息存储器段（A 到 D）组成，每个信息存储器段的大小为 128 字节，每个主存储器段的大小为 512 字节。
段 0 到 n 可以一次擦除，或者可以逐个段进行擦除。
段 A 到 D 可以单独进行擦除，这些段也被称为信息存储器。
段 A 可以单独上锁。

在这里插入图片描述

下图大概的意思：

这段文本描述了一个内存模型的地址范围和用途。下面是各个地址范围及其属性的解释：

00000h-00FFFh：包含有间隙的外设
00000h-000FFh：保留给系统扩展使用
00100h-00FEFh：外设 x
00FF0h-00FF3h：描述符类型 (2) x
00FF4h-00FF7h：描述符结构的起始地址 x
01000h-011FFh：BSL 0 x x
01200h-013FFh：BSL 1 x x
01400h-015FFh：BSL 2 x x
01600h-017FFh：BSL 3 x x x
017FCh-017FFh：BSL 签名位置
01800h-0187Fh：信息 D x
01880h-018FFh：信息 C x
01900h-0197Fh：信息 B x
01980h-019FFh：信息 A x
01A00h-01A7Fh：设备描述符表 x
01C00h-05BFFh：16KB RAM
05B80h-05BFFh：备用中断向量
05C00h-0FFFFh：程序 x x (1) x
0FF80h-0FFFFh：中断向量
10000h-45BFFh：程序 x x x
45C00h-FFFFFh：空闲

其中，一些关键词的含义如下：

BSL：表示主引导加载程序（Bootstrap Loader）
Info A/B/C/D：信息区域
RAM：随机访问存储器
程序：存放代码的区域
中断向量：存放中断处理程序的区域

此内存模型的特点包括：
在读取/写入/获取时可以生成NMI（非屏蔽中断）
获取访问时生成PUC（CPU保护状态更改）
可以保护读取/写入操作
总是能够从(1)访问PMM寄存器；用户可以进行大规模擦除操作，包括整个存储器擦除、按照块擦除和按照段擦除。

在这里插入图片描述

程序

#include <msp430.h>//从地址addr开始写，写len个
void write_data(unsigned int addr, const unsigned char dat[], unsigned char len) {unsigned char i;FCTL1 = FWKEY + ERASE; //设置擦除模式FCTL3 = FWKEY;for (i = 0; i < len; i++) {*(unsigned char *) (addr + i) = 0;}FCTL1 = FWKEY + WRT; //设置写入模式for (i = 0; i < len; i++) {*(unsigned char *) (addr + i) = dat[i];}FCTL1 = FWKEY;FCTL3 = FWKEY + LOCK;
}//从地址addr开始读，读len个
void read_data(unsigned int addr, unsigned char dat[], unsigned char len) {unsigned char i;for (i = 0; i < len; i++) {dat[i] = *(unsigned char *) (addr + i);}
}const unsigned char data[] = "ABCDEDF";
unsigned char data_read[10];int main(void) {WDTCTL = WDTPW | WDTHOLD;    // stop watchdog timerwrite_data(0x001800, data, 7);read_data(0x001800, data_read, 7);while (1);
}