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概述

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：HiPerFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 500mA, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：66A

Id 时的 Vgs(th)(最大)：4.5V @ 8mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：200nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：8400pF @ 25V

功率 - 最大：735W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-264AA

包装：管件

供应商设备封装：*

特性

暂无IXFK66N50Q2的特性信息

参数

暂无IXFK66N50Q2的参数信息

引脚图与功能

暂无IXFK66N50Q2的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IXFK66N50Q2的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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供应商

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交易说明

仓库

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