4.1
存取时间：又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器的操作(读或写分别对应存与取)到该操作完成所经历的时间。

存取周期：连续启动两次访问操作之间的最短时间间隔。

存储器带宽：单位时间内存储器所能传输的信息量，常用的单位包括位/秒或字节/秒。

存储单元：保存数据的基本内存单元。根据保存内容的大小，一般可分位存储单元，字存储单元等。存储单元一般应具有存储数据和读写数据的功能，每个单元有一个地址，并按地址访问。

大端存储：数据的高字节存储在低地址中，数据的低字节存储在高地址中（即往往将数字按照原本顺序存储）

小端存储：数据的高字节存储在高地址中，数据的低字节存储在低地址中（即往往将数字反向存储）

Compare大端存储&小端存储：eg：12345678
大端存储：12 34 56 78 小端存储：78 56 34 12

静态存储器(SRAM)：不需要刷新，运行速度快，储存成本高的SRAM，常用作Cache

动态存储器(DRAM)：需要刷新，运行速度较慢，储存成本低的DRAM，常用作主存

刷新：动态存储单元中，为使所存信息能长期保存，在电容电荷泄露完之前定时地补充电荷的过程。

刷新周期：需要多久刷新一次，一般为2ms

字扩展：用多位满足一定要求的存储芯片构成容量更大的存储器。

位扩展：用多片存储芯片构成位数更多的存储器。

多体交叉存储器：由多个存储容量相同，读写速度相同或相近的多个存储模块