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FGH40N60SMD用的TO-247封装，是安森美一款汽车级IGBT管。FGH40N60SMD的功耗（Ptot）为349W，集电极截止电流（ICES）为250uA，G−E漏电流（IGES）为±400nA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。FGH40N60SMD的输入电容（Ciss）为1880pF，输出电容（Coss）为180pF。FGH40N60SMD的电性参数是：二极管正向电流（IF）为40A，集电极到发射极电压（VCES）为600V，二极管正向电压（VFM）为2.3V，反向恢复时间（trr）为36ns，其中有3条引线。

FGH40N60SMD参数描述

型号：FGH40N60SMD

二极管正向电流（IF）：40A

功耗（Ptot）：349W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃

集电极到发射极电压（VCES）：600V

G−E阈值电压VGE(th)：4.5V

集电极截止电流（ICES）：250uA

G−E漏电流（IGES）：±400nA

输入电容（Cies）：1880pF

输出电容（Coes）：180pF

二极管正向电压（VFM）：2.3V

反向恢复时间（trr）：36ns

 

FGH40N60SMD插件封装系列。它的本体长度是20.82mm，加引脚长度为37.07mm，宽度为15.87mm，高度为4.82mm，脚间距为5.56mm。

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。