总结一下网上关于耗尽型和增强型晶体管的区别和种类。

一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件。
结型场效应晶体管（JFET）通常只有耗尽型场效应晶体管。

一、增强型场效应管

增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。

场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

通俗来讲，对于增强型，VGs>0

二、耗尽型场效应管

耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。

增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。

通俗来讲，对于耗尽型，VGs<0