氧化硅片
简介：
二氧化硅片是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜，用作绝缘、或者掩模材料。
氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。公司采用进口先进氧化设备、工艺实现氧化层均匀、准确的生成。
产品特点：
● 氧化层厚度均匀 ● 平整度好 ● 翘曲度小
● 尺寸公差小 ● 表面无光滑无瑕疵
规格说明
外形尺寸：1",2",3",4",5",6",7 ~ 12"可定制
型号N型/ P型、本征（不掺杂）客户要求
直径:50 ~ 300mm
总厚度:250 ~ 600 μm可定制
厚度误差±10μm
氧化层厚度50nm ~ 2000nm（常规100nm，200nm，300nm，500nm，1000nm）客户要求
平整度（TIR）< 3 μm
翘曲度（BOW）≤15μm
TTV:≤15μm，30μm
粗糙度< 0.5nm
电阻率:0.001~ 20000 (Ω·cm)

锑化镓晶片
简介
锑化镓为半导体材料。分子式为GaSb,闪锌矿型结构,晶格常数0.6094nm,密度5.6137g/cm3,为直接带隙半导体,室温时禁带宽度为0.70eV。
技术参数
单晶 GaSb
位错密度cm-2 ＜103
生长方法 LEC
最大尺寸 Φ3″
标准基片 Φ3″×0.5， Φ2″×0.5
表面处理 研磨，单抛，双抛

供应产品目录：
钪酸钆(GdScO3)晶体基片
锑化镓(GaSb)晶体基片
砷化镓(GaAs)晶体基片
普通石墨
GaSe 单晶基片
钆镓石榴石(Gd3Ga5012)晶体基片
Ge晶体基片
掺钪的钆镓石榴石单晶
Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12
磷化镓（GaP)
磷化铟(InP)晶体基片
砷化铟（InAs）晶体
锑化铟(InSb)晶体基片
KH2PO4晶体
钽酸钾(KTaO3)晶体基片
铌钽酸钾(KTa 1-X NbXO3)晶体基片
氯化钾(KCl)晶体基片
铝酸镧(LaAlO3)晶体基片
钽酸锂(LiTaO3)晶体基片
铌酸锂(LiNbO3)晶体基片
氟化锂(LiF)晶体基片
铝酸锶钽镧（LSAT）晶体基片
镓酸锂(LiGaO2)晶体基片 （进口）
锶镁掺杂镓酸镧（LSGM)晶体
近化学计量比LiNbO3晶体（简写: SLN）
铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片
氟化镁(MgF2)晶体基片
氧化镁(MgO)晶体基片
MoSe2晶体
二硫化钼（MoS2）晶体
碲化钼（MoTe2）晶体
光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3)晶片
铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片
单晶TiO2（金红石）掺杂Nb（Nb：TiO2）
yyp2021.6.21