主要特征
低VCE(sat)
低开关损耗
内置快恢复二极管
Tvj op=150°C
VCE(sat)带正温度系数
极限参数
除非另有说明 , 否则TA = 25ºC
IGBT,逆变器
符号 | 参数 | 参数范围 | 单位 |
VCES | 集电极—发射极电压 | 1200 | V |
VGES | 栅极-发射极电压 | ±20 | V |
IC | 连续集电极电流 (TC=95℃ ),Tvj max=175°C | 75 | A |
ICpulse | 集电极脉冲电流 (tp=1ms) | 150 | A |
Ptot | 耗散功率 (TC=25℃ ) ,Tvj max=175°C | 385 | W |
FRD,逆变器
符号 | 参数 | 参数范围 | 单位 |
VRRM | 反向重复峰值电压 | 1200 | V |
IF | 连续正向直流电流 | 75 | A |
IFRM | 正向重复峰值电流 tp=1ms | 150 | A |
二极管 ,整流器
符号 | 参数 | 参数范围 | 单位 |
VRRM | 反向重复峰值电压 | 1600 | V |
IRMSM | 最大正向均方根电流(每个芯片) Tc=80°C | 80 | A |
IRMSM | 最大正向均方根电流(每个芯片) Tc=80°C | 140 | A |
参数 | VCE | VCE(sat) | VF | Tj,Max | Eon | Eoff |
值 | 1200V | 1.9V | 1.7V | 175°C | 3.1mJ | 4.2mJ |
典型应用
逆变器
电机传动
伺服驱动器
封装外形图
