在使用STM32时，常可以将内部1flash的一部分划作数据储存区（EEPROM），用于掉电后的数据保存。而N76E003单片机也可实现类似的功能。
下图为N76E003的内存分配图，我们可以从下图中看到APROM使用的地址范围（APROM + LDROM = 18K，当LDROM为0时，APROM的地址为0000~0x47FF）
下面的程序为新唐官方所给出的例程，我只进行了粗浅的注释
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// File Function: N76E003 APROM program DATAFLASH as EEPROM way
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#include "N76E003.h"
#include "Common.h"
#include "Delay.h"
#include "SFR_Macro.h"
#include "Function_define.h"#define ADDR_BASE 0x4700//位于地址末端.4700~47FF共256字节#define FLASH_L_LOW ADDR_BASE+1
#define FLASH_L_HIGH ADDR_BASE+2
#define FLASH_H_LOW ADDR_BASE+3
#define FLASH_H_HIGH ADDR_BASE+4volatile unsigned char xdata page_buffer[128];/*********************************************************
功能：读取APROM中的一位数据
参数：需要读取的内存地址(addr)
*********************************************************/
UINT8 Read_APROM_BYTE(UINT16 code *u16_addr)
{UINT8 rdata;rdata = *u16_addr>>8;return rdata;
}
/*****************************************************************************************************************
write_DATAFLASH_BYTE :
写入flash数据
user can copy all this subroutine into project, then call this function in main.
用户能复制这所有的代码区工程中，然后调用这个函数在主函数中功能：在指定Flash地址写入数据
参数：需要写入的flash地址、需要写入的数据、
******************************************************************************************************************/
void Write_DATAFLASH_BYTE(unsigned int u16EPAddr,unsigned char u8EPData)
{unsigned char looptmp=0;unsigned int u16_addrl_r;unsigned int RAMtmp;//Check page start addressu16_addrl_r=(u16EPAddr/128)*128;
//Save APROM data to XRAM0for(looptmp=0;looptmp<0x80;looptmp++){RAMtmp = Read_APROM_BYTE((unsigned int code *)(u16_addrl_r+looptmp));page_buffer[looptmp]=RAMtmp;}
// Modify customer data in XRAMpage_buffer[u16EPAddr&0x7f] = u8EPData;//Erase APROM DATAFLASH pageIAPAL = u16_addrl_r&0xff;IAPAH = (u16_addrl_r>>8)&0xff;IAPFD = 0xFF;set_IAPEN; set_APUEN;IAPCN = 0x22; set_IAPGO; //Save changed RAM data to APROM DATAFLASHset_IAPEN; set_APUEN;IAPCN = 0x21;for(looptmp=0;looptmp<0x80;looptmp++){IAPAL = (u16_addrl_r&0xff)+looptmp;IAPAH = (u16_addrl_r>>8)&0xff;IAPFD = page_buffer[looptmp];set_IAPGO; }clr_APUEN;clr_IAPEN;
} /******************************************************************************************************************/ void main (void)
{UINT8 datatemp;UINT16 system16highsite;
/* -------------------------------------------------------------------------*/
/* Dataflash use APROM area, please ALWAYS care the address of you code */
数据闪存使用APROM区，请一定保证这部分数据和你的代码地址不会冲突
/* APROM 0x3800~0x38FF demo as dataflash */
APRON 地址为0x3800~0x38ff 演示作为数据内存
/* Please use Memory window key in C:0x3800 to check earse result */
请使用内存窗口密匙 （C：0x3800）去检查结果？？？？？
/* -------------------------------------------------------------------------*/InitialUART0_Timer1(115200);//串口初始化
//call write byte Write_DATAFLASH_BYTE (0x3802,0x34);//在0x3802地址写入数据0x34Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_L_LOW,0x55);//在0x4700地址写入数据0x55Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_L_HIGH,0x56);//0x4701写入0x56Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_H_LOW,0xaa);//0x4702写入0xaaWrite_DATAFLASH_BYTE (FLASH_H_HIGH,0x66);//0x4703写入0x66
//call read bytedatatemp = Read_APROM_BYTE(0x3802);system16highsite = ((Read_APROM_BYTE(FLASH_H_HIGH)<<8)+Read_APROM_BYTE(FLASH_H_LOW));while(1){
// printf ("\n data temp = 0x%bx", datatemp);//打印datatemp中数据}
}
总结：使用flash作为eeprom时，最好按实际需求从47FF倒着写，以此保证不会干扰程序的正常运行。
（https://blog.csdn.net/DZRYWYBL/article/details/86320325在此感谢这位博主分享经验）
