针对2.4G频段的无线单发芯片——SI24R2E，在开发过程中会遇到的常见问题进行汇总解答。

技术提问

Q1：虽说Si24R2E布局走线非常简单，是否有提供建议参考，可以避免一些误区？

动能世纪A1：有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图，同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》，避免客户在设计过程中的一些问题，减少后期调试改板等工作。

Q2：我看到大多数Si24R2E的板子上都会加一颗100uf的钽电容，具体作用是什么？

动能世纪A2：因为Si24R2E主要针对是低功耗有源标签应用，一般是纽扣电池供电，加100uf钽电容可以有效稳定供电，同时保护电池延长电池寿命。

Q3：Si24R2E SPI 输入口必须强制10K电阻上拉，否则静态电流异常。如果这个10K上拉电阻没有加，会有什么影响？

动能世纪A3：静态电流会大一些。对于芯片的烧录以及芯片的烧录均没有影响，但是我们强烈建议加上这几个10K上拉电阻，主要还是稳定性更好。

Q4：Si24R2E是如何进行芯片烧录的？是否可以外挂MCU控制？

动能世纪A4：正常是通过我司提供的PC端芯片烧录上位机编程器进行程序的下载，测试与量产都非常的方便。同时也支持外接MCU控制。

Q5：Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款产品有什么区别？

动能世纪A5：三款芯片均是脱胎于Si24R1，主要的区别是针对应用领域不同，所以功能有所差异。

Si24R2F兼容Si24R2E情况下新增了部分功能：

1.自动发射模式下，最多支持4个不同信道轮询发射；

2.集成温度监测和报警功能（开启温度监测，每次发射数据都会包含芯片工作环境温度数据）；

3.支持按键发射功能；

4.支持发射数据加密。

Si24R2H相比Si24R2E有几个较大的区别：

1.R2H功率要高于R2E。分别是12dBm和7dBm；

2.封装不一样，分别是R2H QFN32和R2E QFN20；

3.R2H内置125K，R2E则没有；

4.跳频通道不一样，R2H只支持4通道跳频，R2E只支持3通道跳频；

5.内置NVM寄存器烧写次数不一样，R2H可烧写次数较少为32次，R2E为128次；

6.R2H支持数据加密功能，R2E则不支持；

7.R2H支持内部测温，NTC测温，外挂温湿度传感器。R2E则不支持。

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