1.1金属导电

金属导电是由于金属内有好多自由电子
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1.2半导体的导电特性

1.2.1本征半导体

在这里插入图片描述

1.2.2晶体结构

在这里插入图片描述
形成的共价键---->容易挣脱原子核束缚---->自由电子移动
再：单子移动后---->形成空穴----->原来不带电现在变成电中性
再：当加上外电场---->有空穴的原子吸引相邻原子的电子---->这导致原来原子产生空穴---->如此下去 ---->好像空穴在流动

自由电子和空穴都成为载流子；

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1.3N型、P型

N —>掺入5价—>电子多
在这里插入图片描述

P —>掺入3价—>空穴多在这里插入图片描述

1.4PN结

2021-10-24 思考
刚开始以为N型掺杂3价呢因为3价吸引一个电子形成4的稳定所以在原来的基础上增加了一个电子带负电是negative
同理 P----->5价----->容易失去一个电子------>带正电

不过上面的是错误的！！！！！！！！！！

其实 N ---->5价------>失去一个电子----->电子流动是从N–>P 所以 —>电流从P—>N z

这样的理解是基于动态的，所为的NP ，不单单是正负更是PN结里面电子运动导致的电场

看上面1.3中的P型N型的描述没有说电子失去带正电电子得到带负电所以一开始的理解是不合理的
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这个视频不错
如图：
P—>空穴多
N---->电子多
所以—>P的空穴----->流向N区------>交界处形成负的空间电荷区
同理—>N的电子----->流向P区------>交界处形成正的空间电荷区

所以这个~~空间电荷区~~ —>叫做 PN结 ，耗尽层 阻挡区
在这里插入图片描述

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1.5 扩散和漂移

1.少子多子
2.扩散~ 漂移
3.是动态平衡
4.小结：PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡时，扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流互相抵消，PN结中的电流为0.
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1.6 PN结的单向导电性

1、外加正向电压（也叫正向偏置）
在这里插入图片描述
外电场与内电场方向相反，内电场削弱，
扩散运动大大超过漂移运动
------->>>>>>N区电子不断扩散到p区，P区空穴不断扩散到N区
形成较大电流 ---->导通

2、外加反向电压（也叫反向偏置）

在这里插入图片描述

外加电场与内电场相同，增强了内电场
多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流IR很小
这时称PN结处于“截止”状态

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总结
Uon 约为 0.5V（硅）
Uon约为 0.1V（锗）
1）、外加正向电压较小时，不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍然处于截止状态。
2）、正向电压大于“开启电压Uon”后，i随着u增大迅速上升。
3）、外加反向电压是，PN结处于截止状态，反向电流IR很小。
4）、反向电压大于“击穿电压URB”时，反向电流IR急剧增加。
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