TC358775XBG替代方案|完美替代 TC358775XBG替代方案|低BOM成本DSI转LVDS方案CS5518

      TC358775XBG芯片的主要功能是DSI到LVDS桥，通过DSI链路实现视频流输出，以驱动LVDS兼容的显示面板。该芯片支持单链路LVDS高达1366×768 24位像素分辨率，双链路LVD支持WUXGA（1920x1200 18位像素）分辨率。作为次要功能，该芯片还支持由DSI链路控制的I2C主机；这可以用作通过I2C的任何其他控制功能的接口。通过DSI通用长写数据包发送写寄存器命令，可以通过DSI链路配置芯片。 TC358775XBG：在BGA64封装中，它支持多达4条数据通道的DSI-RX，并输出到双链路LVDS。

  CS5518是一款MIPI DSI输入、LVDS输出转换芯片。MIPI DSI支持多达4个局域网，每条通道以最大1Gbps的速度运行。LVDS支持18位或24位像素，25Mhz至154Mhz，采用VESA或JEIDA格式。它只能使用单个1.8v电源，以节省成本并优化电路板空间。CS551主要实现将 MIPI DSI 转单/双通道 LVDS功能，MIPI 支持 1/2/3/4 通道可选，最大支持 4Gbps 速率。LVDS 时钟频率最高 154MHz，最大支持视频格式为FULL HD（1920 x 1200）。CS5518封装方式QFN48，既可以设计单链路LVDS输出也可以设计双链路LVSD输出。

综上所示：CS5518在芯片功能是跟TC358775XBG芯片是完全一致的，CS5518与TC358775XBG参数区别如下所示：

CS5518参数特性：

CS5518 LVDS 输入

支持 MIPI D-PHY 版本 1.00.00 和 MIPI DSI 版本 1.02.00

支持1至4数据通道，1时钟通道

双向车道 0（仅倒车 LP）

支持超低功耗（超低功耗状态）

支持18/24/30/36位的打包像素格式RGB

支持各种的 18 位像素格式 RGB

支持 RGB565 16 位输入

DSI 主机可以在 ESCAPE 模式下访问本地寄存器

支持同步事件/同步脉冲模式

在V型消隐期间，支持所有线路进入低功耗模式

支持通道/极换

支持连续时钟和/或非连续时钟

CS5518 LVDSA 输出

支持18位单端口，18位双端口，24位单端口和24位双端口LVDS输出接口。

支持VESA和JEIDA模式

灵活的LVDS输出引换

可编程摆幅/共模电压

支持通道/极性/位交换

TC358775XBG参数特性如下：

 TC358775XBG DSI接收器参数

可配置的1至4数据线DSI链路

数据通道0上的双向支持

1 Gbps/通道的最大比特率

视频输入数据格式：

RGB565每像素16位

RGB666每像素18位

RGB666每像素松散压缩24位

RGB888每像素24位

 视频帧大小：

-高达1600×1200每像素24位分辨率的双链路LVDS显示面板，受限于135MHz LVDS速度

-高达WUXGA分辨率（1920×1200 24位像素）的双链路LVDS显示面板，受限于

4 Gbps DSI链路速度

支持视频数据传输的视频流数据包。

支持用于访问芯片寄存器集的通用长数据包

支持主机控制芯片上的路径

TC358775XBG  LVDS FPD链路发射机参数

支持单链路或双链路

最大像素时钟频率为135 MHz。

单链路的最大像素时钟速度为135 MHz，双链路为270 MHz

单链路最高支持1600×1200 24位/像素分辨率，双链路最高支持1920×1200 24位数分辨率

支持以下像素格式：

-RGB666每像素18位

-RGB888每像素24位

采用东芝Magic Square算法，RGB666显示面板的显示质量几乎与RGB888 24位面板相同

综上所示：CS5518与TC358775XBG输入输出参数特性一直，CS5518可以完全替代兼容TC358775XBG方案，且CS5518芯片集成度较TC358775XBG要高，主要优势在以下几点：

 

TC358775XBG主要是设计DSI转LVDS转换方案，CS5518不仅可以设计DSI转LVDS而且还可以设计MIPI转LVDS转换方案，且CS5518芯片集成度比TC358775XBG要高，主要集中在以下几个地方：

CS5518嵌入式振荡器，无需外部晶体

CS5518可选外部时钟输入，用于 20-154MHz

CS5518支持 SSC 生成 +/-3%100~300KHz 以降低 EMI

CS5518支持抖动和 6 位 +FRC

CS5518支持PMW发生器与GPIO输出PWM集成以控制反向

CS5518支持内部上电复位 （POR）

 

CS5518芯片集成度较高，外围器件少，整体设计简单，整体方案成本比TC358775XBG要低很多，单芯片比TC358775XBG要低很多，是一款不错的方案选择，另外CS5518封装较小，TC358775XBG片子封装体积较大，CS5518是QFN48  TC358775XBG是BGA64封装。

CS5518替代TC358775XBG设计DSI转LVDS双链路输出电路系统应用框图如下：

 

 CS5518替代TC358775XBG设计DSI转LVDS双链路输出电路电路原理图如下：