EMI164NA16LM该设备是一个集成的存储器设备,其中包含64Mbit静态随机存取存储器,使用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具有单独的电源轨,VCCQ和VSSQ,用于从设备核心的单独电源运行。
特征
•电源
-VCC和VCCQ电压:3.0V(2.7V〜3.6V)
•配置:64MB(4MBX16)
•读取速度
-异步读访问:70ns
•低功耗
-异步操作:<30mA
-待机电流:<350UA(最大值)
•低功耗功能
-片上温度补偿自刷新(TCSR)
•工作温度范围:-40°C〜+85°C(工业)
•包装:48 TFBGA(6.0x7.0mm)
引脚封装
48 TFBGA(6.0x7.0mm)
EMI164NA16LM该设备是67,108,864位pSRAM,使用DRAM型存储器单元,但该器件具有无刷新操作和极端低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设备组织为4,194,304字x16位。
图2.功能框图
功能描述
64MB设备包含67,108,864位DRAM核心,组织为16位的4,194,304个地址。该设备包括行业标准,在其他LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口
表1功能描述
1.当UB#和LB#处于选择模式(低)时,DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。
当仅LB#处于选择模式时,DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB#处于选择模式时,DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。
2.当设备处于待机模式时,控制输入(We#,OE#),地址输入和数据输入/输出在内部与任何外部影响分离。
3.当我们#处于活动状态时,OE#INPUT在内部禁用,对I/O没有影响。
4.只要更改地址,设备将在此模式下消耗有效电源。
5.VIN=VCCQ或0V,所有器件引脚都是静态(未切换的),以实现备用电流。