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ASEMI高压MOS管ASE65R330参数：

型号：ASE65R330

漏极-源极电压（VDS）：650V

栅源电压（VGS）：20V

漏极电流（ID）：12.5A

功耗（PD）：30.9W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ

二极管正向电压（VSD）：1.1V

输入电容（Ciss）：470pF

二极管反向恢复时间（trr）：214nS

 

ASE65R330封装图片：

封装：TO-220F

总长度：28.8mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.16mm

高度：4.7mm

脚间距：2.54mm

 

ASE65R330特征：

超低RDS（ON）=330mΩ@VGS=10V。

超低栅极电荷，Qg=27.2nC典型值。

快速切换能力

具有更好EAS性能的稳健设计

EMI改进设计