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ASEMI高压MOS管7N60参数：

型号：7N60

漏极-源极电压（VDS）：600V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：7A

功耗（PD）：125W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω

二极管正向电压（VSD）：1.5V

输入电容（Ciss）：1460pF

二极管反向恢复时间（trr）：648nS

 

7N60封装规格：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

 

7N60特征：

7A，600V，RDS（ON）=1.2Ω@VGS=10V/3.5A

低栅极电荷

低Ciss

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力