注意本文已经默认烧写用的CMD文件已经编好！（有关CMD文件的编写可以参考相关博文）

DSP装载有16种模式，当前使用的是默认模式也就是FLASH启动模式（所有的模式引脚都是默认高电平，既模式引脚外部不加其它的电路）。

 

1. 添加F28335.GEL, 文件路径：C:\CCStudio_v3.3\cc\gel\F28335.gel；

2. 添加C:\CCStudio_v3.3\MyProjects\WDPT_STEP(DSP)10\Source\DSP2833x_CodeStartBranch.asm文件，此文件负责上电后程序执行顺序跳转的；

 

 

3. 修改工程的build option，将LINKER中的Autoinit参数改成：Run-Time Autoinitial；

4. 添加DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd文件，用于将DSP28头文件中的外设结构与存储器地址对应起来；

5. 向工程中添加C:\CCStudio_v3.3\MyProjects\WDPT_STEP(DSP)10\F28335.cmd文件，它是用于flash烧写的CMD文件，用于替换原有的用于RAM中调试的28335_RAM_lnk.cmd文件。

6. 重新编译工程

7. 烧写

烧写注意事项

 

一、 烧写的注意点：

1、 烧写第一步（擦出）时不能断电或人为停止，否则会造成28335芯片锁死

 

2、 在密码区内 不能将密码全部设置为0，这样会造成芯片永久锁死，如果不采用默认的密码，改动后要记住否则也会造成芯片锁死！切记！！！

 

 

烧写步骤

 

 

一、 先把在调试环境下的工程文件的cmd换成烧写所要用的FLASH cmd 文件，

Gel文件换成ccs自带的gel 路径为D:\CCStudio_v3.3\cc\gel下，然后编译无错误

 

二、 点击tools菜单栏下的on-chip flash programmer，填出烧写对话框

注意如果此时出现如下情况：Non-supproted PartID:0x00EF

安装如下插件就可以解决：

 

三、 在填出的对话框中红色部分是对芯片的时钟频率的选择，我们这里用的是外部30M的晶振，经过2分频在通过PLL10倍频。

注意：晶振的平率是根据板子上的晶振所选择的，烧写时芯片最好工作在该芯片的最高频率

 

四、 添加最新的API函数，如果API函数较老可以去www.ti.comw网站上下载

 

五、 添加你所要烧写的.OUT文件

 

六、 点击执行按键，烧写所选的程序

 

七、 出现如下图所示的信息说明烧写成功

注意当程序已经成功烧写到flash里后，reset一下板子程序从头开始跑起来，此时一定要把仿真接口从板子上拔掉或者仿真器USB不插电脑上！！！