富士通型号MB85RC04V是一款FRAM芯片，位宽为512字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC04V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。MB85RC04V使用的非易失性存储单元的读/写寿命提高到至少1012个周期，在数量上明显优于其他非易失性存储产品。MB85RC04V铁电存储器在写入存储器后不需要轮询序列，例如闪存或E2PROM的情况。
特点
•位配置：512字×8位
•两线串行接口：完全由两个端口控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。
•工作频率：1MHz（最大）
•读/写耐久性：1012次/字节
•数据保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)
•工作电源电压：3.0V至5.5V
•低功耗：工作电源电流90μA(Typ@1MHz)，待机电流5μA（典型值）
•工作环境温度范围:−40℃至+85℃
•封装：8-SOP RoHS合规
I2C（内部集成电路）
MB85RC04V具有两线串行接口；I2C总线，作为从设备运行。I2C总线定义了“主”和“从”设备的通信角色，主端拥有启动控制的权限。此外，I2C总线连接是可能的，其中单个主设备连接到多台从属设备以组线配置。在这种情况下，需要为从设备分配一个唯一的设备地址，主设备在指定从设备通过地址进行通信后开始通信。
FRAM是一种非易失性铁电存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
