英飞凌 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。也可直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。
IMBF170R1K0M1 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。

特点
革命性的半导体材料——碳化硅
优化用于反激式拓扑结构
12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器
非常低的切换损失
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
完全可控制的dV/dt，用于EMI优化
降低系统复杂性
直接从反激式控制器驱动
提高效率和降低冷却工作量
实现更高频率

规格参数：IMBF170R1K0M1XTMA1晶体管 1700V N-CH SICFET
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5 nC @ 12 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：275 pF @ 1000 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-13
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号：IMBF170

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