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7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，其中有3条引线。

7N65参数描述

型号：7N65

封装：TO-220AB

特性：小功率MOS管

电性参数：7A 650V

栅极阈值电压VGS(TH)：30V

漏电流(ID)：7A

功耗(PD)：50W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))：1.25Ω

脉冲正向电流ISM：28A

反向恢复时间(Trr)：293nS

输出电容(Coss)：95pF

贮存温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

7N65属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。

以上就是关于7N65-ASEMI小功率MOS管7N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。