此内容仅是为了自己方便回忆，内容来源于野火指南者开发板教程。

一．存储器

RAM（Random　Access　Memory）随机存储器：当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。

RAM分为动态随机存储器DRAM（Dynamic　RAM）和静态随机存储器SRAM（Static　RAM）

DRAM：以电容的电荷来表示数据，有电荷表示１，无电荷表示０；时间一长，有电的电容会放电，没电的电容会吸电，因此要定期刷新操作，动态由此而来。

由DRAM通讯方式分为：同步和异步；由于时钟同步的通讯速度更快同步DRAM使用更广泛，称为SDRAM（Synchronous　DRAM）

DDR　SDRAM存储器（Double　Data　Rate　SDRAM）：SRAM在上升沿表示有效数据，一个时钟周期内只能表示１个有效数据，DDR　SDRAM在上升沿和下降沿各表示一个数据，１个时间周期内表示２位数据。DDRII和DDRIII主要是提高了通讯同步时钟的频率

SRAM：以锁存器来存储数据，不需要定时刷新充电

 根据SRAM通讯方式分为同步（SSRAM）和异步（SRAM）。

DRAM和SRAM比较：

ROM（Read　Only　Memory）只能读的存储器：分为不可修改的MASK　ROM、一次可编程存储器OTPROM（One　Time　Programable　ROM）、可重复擦写的存储器EPROM（Erasable　Programmable　ROM）、电可擦除存储器EEPROM（Electrically　Erasable　Programmable　ROM）

FLASH存储器（闪存）：

NOR　FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间

NAND　FLASH　一般应用在大数据量存储的场合，包括ＳＤ卡、Ｕ盘、固态硬盘

二．IIC读写EEPROM

IIC通讯系统：

 物理层特点：支持设备的总线（“总线”：多个设备公用的信号线）；使用２条总线线路SDA（双向串行数据线）和SCL（串行时钟线）；每个设备都有一个独立的地址；总线通过上拉电阻连接电源，IIC空闲时输出高阻态，所有设备空闲时，所有输出高阻态，上拉电阻把总线拉成高电平；有仲裁方式；三种传输模式：标准模式１００ｋｂｉｔ／ｓ，快速模式４００ｋｂｉｔ／ｓ，高速模式３.４Ｍｂｉｔ／ｓ；连接相同总线的ＩＣ数量受总线的最大电容４００ｐＦ限制。　

协议层：

IIC读写过程：

写数据（图一）：接收到起始信号后，匹配从机地址（７位或１０位），在配置方向位写入‘０’即写数据，然后传输数据（８位），主机每发完一个字节数据，都要等待从机的应答信号，如此循环写入数据，直到从机接收到停止传输信号Ｐ。

读数据（图二）：接收到起始信号后，匹配从机地址（７位或１０位），在配置方向位写入‘１’即读数据，然后接收数据（８位），从机每发送完一个字节数据，都要等待主机的应答信号，如此循环读入数据，直到主机返回一个非应答信号。

读和写数据：第一次通讯是告诉从机读写地址，第二次则是读写的实际内容。

通讯的起始和停止信号：

一般由主机产生，当ＳＣＬ是高电平时，ＳＤＡ线从高电平变成低电平表示通讯的起始；当ＳＣＬ是高电平时，ＳＤＡ线从低电平变成高电平表示通讯的停止。

 

数据有效性：

当ＳＣＬ为高电平时ＳＤＡ表示的数据有效，此时ＳＤＡ为高电平表示数据”１“，低电平表示数据”０“。当ＳＣＬ为低电平时，ＳＤＡ的数据无效。

地址及数据方向：

IIC协议规定设备地址是７位或１０位，表示数据传输方向位在第８位或第１１位，”１“表示读数据，”０“表示写数据。

 

 响应：包括”应答（ACK）“和”非应答（NACK）“

传输后，希望继续发送数据，要向对方发送”应答“信号；若希望结束数据传输，要向对方发送”非应答“信号。

IIC架构：

STM３２F１０ｘ的IIC引脚：

②：时钟控制寄存器（ＣＲＲ）可选择”标准／快速“模式；在快速模式下可以选择SCL时钟占空比Tlow／Thigh＝２或Tlow／Thigh＝１６／９模式；还有一个１２位的配置因子，配置如下

标准模式：Thigh＝CCR＊Tｐｃｌｋ１＊Tlow＝CCR＊Tｐｃｌｋ１

快速模式中Tlow／Thigh＝２时：Thigh＝CCR＊Tｐｃｌｋ１＊Tlow＝２＊CCR＊Tｐｃｌｋ１

快速模式中Tlow／Thigh＝１６／９时：Thigh＝９＊CCR＊Tｐｃｌｋ１＊Tlow＝１６＊CCR＊Tｐｃｌｋ１

③：数据控制逻辑

④：整体控制逻辑

主发送器过程：

 

 主接收器过程：

IIC结构体： 

IIC——读写EEPROM实验：

 硬件设计：

 EEPROM设备地址一共７位，其中高４位固定为：１０１０ｂ，低三位由A０，A１，A２决定，原理图A０，A１，A２接地，设备地址是１０１００００ｂ（０ｘ５０）

写地址：０ｘＡ０；读地址：０ｘA１

WP引脚：具有写保护功能，高电平时禁止写入数据，低电平时可写入数据。 

程序思路：

1.配置通讯使用的目标引脚为复用开漏模式

2.使能IIC外设时钟

3.配置IIC结构体

4.编写IIC按字节收发的函数

5.编写读写EEPROM存储内容的函数

6.通过串口对数据进行校验

iic.h配置：

 

iic.c配置：

iic初始化：

 

写入一个字节：根据时序图来写 

写入多个字节：根据时序图来写 

读取数据：根据时序图来写

 

等待内部时序完成：每次写入或读出都要加，不然程序会跑不出结果

 收获：遇到程序跑不出理想结果的时候，可以用在线调试，多给几个断点，全速运行到断点看有没有卡住，一点一点查问题，不要心烦气躁！！！

页写入好需要改进，由于EEPROM芯片的型号，只能写8个字节，并且要字节对齐，这个很关键，不然出来的结果和输入数据对不上，需要改进的代码可以去看野火STM32教学手册看！