Reflection
配套代码
; Building mesh
(sde:build-mesh "snmesh" "" "n@node@_half_msh")
; Reflect the device
(system:command "tdx -mtt -x -M 0 -S 0 -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")
;---------------------------------------------------------------------------
(sde:build-mesh "-H" "n@node@_quarter_msh")
;---------------------------------------------------------------------------; Reflect the device
(system:command "tdx -mtt -x -ren drain=source n@node@_quarter_msh n@node@_half_msh")
(system:command "tdx -mtt -x -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")
例1
; Reflect the device
(system:command "tdx -mtt -x -M 0 -S 0 -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")
| short form | long-form | Description |
|---|---|---|
| -mtt | –mirr-tdr | 镜像 TDR 几何并将结果保存到另一个 TDR 文件。 |
| -x | –xmin | 在 xmin 处镜像。 |
Type: boolean; default: false
| short form | long-form | Description |
|---|---|---|
| -M | –geometry-index | TDR 几何索引。 |
Type: integer; default: -1
| short form | long-form | Description |
|---|---|---|
| -S | –state-name | TDR 状态索引。 |
Type: integer; default: -1
| short form | long-form | Description |
|---|---|---|
| -ren | –rename | 重命名一个区域或多个区域 |
例2
sde建立一半结构后，可以通过垂直轴线进行对称以获得完整的器件。这一镜像操作是在Sentaurus结构编辑器中完成的，通过系统调用Sentaurus数据浏览器（tdx）工具实现：
(system:command "tdx -mtt -x -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")
选项 -x 指示Sentaurus数据浏览器沿由xmin定义的x轴对设备进行镜像反射。给定的半结构具有三个接触面：drain、gate和substrate，这些在sde_dvs.cmd文件中进行了定义。在这三个接触面中，gate和 substrate 接触镜像反射轴，在反射后会被延伸，并保持原有的名称不变。然而，反射后的drain（源极）接触面默认会被命名为drainmirrored。为了明确地将这个反射后的接触面重命名为source，我们需要在Sentaurus数据浏览器的命令行选项中使用-ren参数。
例3
以下命令以half.tdr文件作为输入，对结构（数据域、区域和网格）进行镜像反射操作：将反射得到的drain接触面重命名为source，并将结果保存为full.tdr：
tdx -mtt -X -ren drain=source half full
通常情况下，如果原始部分与反射部分是简单连接的，则经过反射的区域会与原始区域合并，并接收原始区域名称。
若反射部分与原始部分不是简单连接的（也就是说，它们形成了两个分离的区域），则反射部分的名称会被赋予<original_name>_mirrored（参见图1）。如果反射操作应用了多次，_mirrored字符串将会根据需要被多次追加。
-ren newname oldname 选项用于重命名反射部分。可以使用 -ren newname1=oldname1/newname2=oldname2 等形式来同时重命名多个区域。
原始结构（左侧）经过一次镜像反射。区域“R.Substrate”由一个简单连通的部分组成，反射部分与原始部分合并在一起。对于区域“R.SGeEpi”，反射操作产生了一个与原始区域非简单连通的区域。因此，反射得到的新区域被命名为“R.SiGeEpi_mirrored”。选项“-ren drain=source”使得“drain”部分在反射后重命名为“source”。（点击图片查看全尺寸视图。）
参考
1.Technology Computer Aided Design (TCAD) Laboratory Lecture 6, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET)
2.Sentaurus Technology Template:SONOS Read/Write Operation
3.Sentaurus Data Explorer | 1.2.1 Reflection
