ROM

ROM全称 Read Only Memony，为只读存储器，最开始的 ROM 存储信息后就不能更改，但是经过发展，ROM也可以更改存储信息。

PROM

可编程程序只读存储器（Programmable ROM，PROM），内部有行列式的熔丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。 PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0， 以实现对其“编程”的目的。

EPROM

可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

OTPROM

一次编程只读存储器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。

EEPROM

电子式可抹除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。

Flash Memony

Flash 存储器（Flash EEPROM）又称闪存，它是EEPROM的一种。它结合了ROM和RAM的长处。不仅具备电子可擦除可编辑（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。

它与EEPROM的最大区别是，FLASH按扇区（block）操作，而EEPROM按照字节操作。FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因此适合用于做程序存储器。

RAM

RAM全称 Random Access Memory，为随机存取存储器，可读可写，掉电不保存。

RAM分为SRAM与DRAM，SRAM常做cache，DRAM常做主存（内存条）。常用RAM指内存，PC上内存条那个内存。

SRAM

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache。

但是它元件数多、集成度低、运行功耗大，所以一般很少。

DRAM

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)利用电容存储电荷的原理保存信息，电路简单，集成度高。集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低。

因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。（即电脑内存条）

硬盘

硬盘分为机械硬盘（HDD）与固态硬盘（SDD），与内存对比，读写慢，但掉电数据不会消失。

机械硬盘是磁盘，主要由：盘片，磁头，盘片转轴及控制电机，磁头控制器，数据转换器，接口，缓存等几个部分组成。

固态硬盘由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。所以硬盘并非ROM。

虚拟内存

程序运行时，先将程序加载到内存，再运行。

但很多程序都很大，不能全放入内存，恰好硬盘空间很大，于是在硬盘空间划出一部分作为虚拟内存暂存要运行的程序。（将整个程序中立马要用的放在内存中，不急着用的放在虚拟内存中。在程序运行时不断更换两个内存中的数据）