一、引言
随着全球环保意识的增强和能源危机的加剧,新能源汽车(包括纯电动汽车和插电式混合动力汽车)市场迅速崛起。作为新能源汽车的核心动力系统,电机控制器在提升车辆性能、降低能耗方面发挥着至关重要的作用。目前,主流的电机控制器多采用硅基(Si)材料制造的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半导体功率器件。然而,由于材料限制,传统Si基功率器件在许多方面已接近其本征极限。
以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体材料,凭借其高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优势,正逐步替代传统的Si基半导体功率器件,成为行业新宠。本文将详细探讨新能源汽车中IGBT电压平台的选择、SiC器件的应用及其未来发展趋势。
二、IGBT电压平台概述
1. 400V电压平台
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应用场景:
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IGBT规格:
- IGBT模块的额定电压通常为600V或650V,以满足400V电池系统的工作需求(电池满电电压通常在350-450V之间)。
- 例如,英飞凌(Infineon)的HybridPACK系列IGBT模块(如HybridPACK 1)是典型的400V平台解决方案。
2. 800V电压平台
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应用场景:
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IGBT规格:
- 800V平台中,IGBT模块的额定电压通常为1200V,以满足800V电池系统的工作需求(电池满电电压通常在700-900V之间)。
- 例如,英飞凌的HybridPACK Drive系列(如HybridPACK Drive 1200V)是典型的800V平台解决方案。
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优势:
- 800V平台可以显著提高充电功率,例如采用350kW快充时,800V平台可以在短时间内完成充电(如保时捷Taycan的800V快充可在22.5分钟内将电量从5%充至80%)。
- 高压平台还可以降低电流,从而减少线缆和电机的损耗,提高系统效率。
3. 更高电压平台(>800V)
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应用场景:
- 目前,1000V及以上的电压平台在新能源乘用车中较为少见,但正在商用车(如电动卡车、电动巴士)和储能系统中应用。
- 例如,部分电动卡车和电动巴士的电池系统电压可能达到1000V甚至更高。
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IGBT规格:
- 对于1000V及以上的电压平台,IGBT模块的额定电压通常为1700V或更高。
- 例如,富士电机(Fuji Electric)和赛米控(Semikron)等公司推出了适用于高压平台的1700V IGBT模块。
4. 未来趋势
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SiC器件的应用:
- 随着碳化硅(SiC)器件的普及,其在800V及以上平台中的应用正在逐渐增加,因为SiC器件在高电压、高频率和高效率方面表现更优。
- 例如,特斯拉Model 3的后驱电机控制器已经采用了SiC MOSFET,以替代传统的IGBT。
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高压平台普及:
- 随着高压快充技术的成熟和成本的降低,800V电压平台有望在未来逐步普及,尤其是在高端车型和高性能电动汽车中。
三、SiC器件在新能源汽车中的应用
1. 材料特性的优势
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更高的禁带宽度:
- SiC的禁带宽度是3.26eV,远高于硅(Si)的1.12eV。这意味着SiC器件可以在更高的温度下工作,且具有更高的击穿电压。
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更高的热导率:
- SiC的热导率是硅的3倍以上,能够更高效地散热,减少热管理系统的复杂性和成本。
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更高的电子迁移率:
- SiC的电子迁移率高于硅,使得器件能够更快地切换,降低开关损耗。
2. 性能提升
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更高的效率:
- SiC器件的开关速度更快,开关损耗更低,使得整个电力电子系统的效率显著提升。这对于新能源汽车的续航里程和能源利用效率至关重要。
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更高的工作频率:
- SiC器件可以在更高的频率下工作,从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容),减少系统的体积和重量。
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更高的工作温度:
- SiC器件能够在更高的温度下稳定工作,减少了冷却系统的负担,降低了系统复杂性。
3. 系统集成与轻量化
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体积和重量减小:
- 由于SiC器件的高频工作特性,电力电子系统的体积和重量可以显著减小,这对于新能源汽车的空间利用和整体重量控制非常重要。
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系统集成度提高:
- SiC器件的应用可以减少系统中所需的元器件数量,提高集成度,简化设计和制造过程。
4. 成本与经济性
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长期成本优势:
- 虽然SiC器件的初始成本较高,但由于其高效率、低损耗和长寿命,长期来看可以降低整个系统的运营成本和维护成本。
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规模效应:
- 随着SiC器件产量的增加和制造工艺的成熟,其成本有望进一步下降,使其在新能源汽车中的应用更具经济性。
5. 环保与可持续发展
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节能减排:
- SiC器件的高效率有助于降低新能源汽车的能耗,减少碳排放,符合全球环保和可持续发展的趋势。
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资源利用:
- SiC器件的长寿命和低损耗特性有助于减少资源消耗,符合绿色制造和循环经济的理念。
6. 技术发展趋势
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技术成熟度:
- 随着SiC材料和制造工艺的不断进步,SiC器件的可靠性和性能不断提升,逐渐成为新能源汽车电力电子系统的首选。
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政策支持:
- 各国政府纷纷出台政策支持新能源汽车和新型半导体技术的发展,为SiC器件的应用提供了有利的政策环境。
四、总结
目前,新能源汽车中IGBT的电压平台主要集中在400V和800V,其中400V为主流,800V为高端趋势。对于更高电压平台(如1000V及以上),主要应用于商用车和储能系统。随着SiC器件的普及和高压快充技术的发展,未来800V及更高电压平台的应用将进一步扩大。
尽管初期存在一些技术和成本挑战,但随着技术的进步和市场的推动,SiC器件有望在未来成为新能源汽车电力电子系统的主流选择。