一、STM32F4低功耗模式

STM32 本身就支持低功耗，一共有三种低功耗模式：

• 睡眠(Sleep)模式。
• 停止(Stop)模式。
• 待机(Standby)模式。

1、睡眠模式（Sleep）

进入睡眠模式

进入睡眠模式有两种指令：WFI（等待中断）和WFE（等待事件）。根据Cortex-M内核的SCR（系统控制）寄存器可以选择使用立即休眠还是退出休眠。当SCR寄存器SLEEPONEXIT(bit1)位为 0 的时候使用立即休眠，当为 1 的时候使用退出时休眠。

CMSIS(Cortex 微控制器软件接口标准)提供了两个函数来操作指令 WFI 和 WFE，我们可以直接使用这两个函数： WFI 和 WFE。FreeRTOS 系统会使用 WFI 指令进入休眠模式。

退出休眠模式

如果使用WFI指令进入休眠模式的话，那么任意一个中断都会将MCU从休眠模式中唤醒，如果使用WFE指令进入休眠模式的话，那么当有事件发生的话就会退出休眠模式。比如配置一个EXIT线作为事件。
当 STM32F429 处于休眠模式的时候 Cortex-M4F 内核停止运行，但是其他外设运行正常，比如 NVIC、SRAM 等。休眠模式的功耗比其他两个高，但是休眠模式没有唤醒延时，应用程序可以立即运行。

2、停止模式（Stop）

停止模式基于Cortex-M4F 的深度休眠模式与外设时钟门控，在此模式下 1.2V 域的所有时钟都会停止，PLL、HSI和HSE RC振荡器会被禁止，但是内部SRAM的数据会被保留。调压器可以工作在正常模式，也可配置为低功耗模式。如果有必要的话可以通过将PWR_CR 寄存器的FPDS位置 1 来使Flash在停止模式的时候进入掉电状态，当Flash处于掉电状态的时候MCU从停止模式唤醒以后需要更多的启动延时。停止模式的进入和退出如下：

3、待机模式（Standby）

相比于前面两种低功耗模式，待机模式的功耗最低。待机模式是基于 Cortex-M4F 的深度睡眠模式，其中调压器被禁止。1.2V域断电，PLL、HSI振荡器和HSE振荡器也被关闭。除了备份区域和待机电路相关的寄存器器外，SRAM和其他寄存器的内容都将丢失。待机模式的进入和退出如下：