由于降低BOM的成本（比如国产化）、电子元件已经停产、维修时电子元件的损坏更换等原因，我们需要做同类电子元件的替换工作。那么替换有什么原则呢？本内容将不间断更新一些原则。紫色文字是超链接，点击自动跳转至相关博文。持续更新，原创不易！

目录：

1、LDO替换原则

2、场效应管替换原则

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1、LDO替换原则

①输入输出电压

②输出电流

③Dropout Voltage

④PSRR(Power Supply Ripple Rejection)

⑤静态电流

低功耗应用(比如电池供电)，汽车应用。

降低成本原因，一款产品上使用一片LDO/TLE42764DV50和一片MC74HC4060ADTR2G，我们可将LDO与硬件看门狗整合到一起，一片IC比两片IC在价格上会更有优势。

TI的TPS7B6350QPWPRQ1是个不错的选择，其特性如下图所示。

2、场效应管替换原则

在DCDC转换电路的一款NMOS已经停产，如下图所示。

需要关注以下几个要点：

①一般选用增强型MOSFET作为开关管，从规格书判别增强型MOS移步：电子元件-MOS；

②功率MOSFET的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻 Rds(on)上，该参数具有正温度系数；

③MOSFET应该降额使用，比如国产化等。

根据上述的要点选择：NCEAP40T20AD/NMOS/TO-263，其参数概述如下图。 

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